2SK715V-AC
2SK715V-AC,场效应晶体管,品牌:ON,封装:SPA-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:50 mA; 最大漏极栅极电压:-15 V; 工作温度:-55 to 125 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897...
MCH3914-8-TL-H
MCH3914-8-TL-H,场效应晶体管,品牌:ON,封装:MCPH-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:50 mA; 最大漏极栅极电压:-15 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755...
2SK208-GR(TE85L,F)
2SK208-GR(TE85L,F),场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:S-Mini-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大连续漏极电流:6.5 mA; 最大漏极栅极电压:50 V; 工作温度:-55 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8...
IRFZ34N
IRFZ34N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=40mOhms,Id=18A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFZ44E
IRFZ44E,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=23.0mOhms,Id=48A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7451
IRF7451,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=150V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=90.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF8327S
IRF8327S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET SQ封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.3mOhms,Id=60A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFSL7537
IRFSL7537,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.3mOhms,Id=173A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFP7430
IRFP7430,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.3mOhms,Id=404A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6785
IRF6785,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MZ封装,参数为:VBrds=200V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=100.0mOhms,Id=19A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TIM7785-16EL
TIM7785-16EL,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:3-Pin 7-AA05A,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:14000 mA; 最大门源电压:-5 V; 工作温度:-65 to 175 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:07...
IRLS3034-7P
IRLS3034-7P,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak 7-Lead封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.4mOhms,Id=380A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLU120N
IRLU120N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=185mOhms,Id=6.9A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFP7530
IRFP7530,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.0mOhms,Id=281A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
J106
J106,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-25 V; 最大漏极栅极电压:25 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRF7470
IRF7470,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=40V,VGs=12V,RDS(on) Max 10V=13.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF3415
IRF3415,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=150V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=42.0mOhms,Id=43A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFIB41N15D
IRFIB41N15D,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220 FullPak (Iso)封装,参数为:VBrds=150V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=45.0mOhms,Id=41A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TF202THC-4-TL-H
TF202THC-4-TL-H,场效应晶体管,品牌:ON,封装:VTFP-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大连续漏极电流:1 mA; 最大漏极栅极电压:-20 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRFR540Z
IRFR540Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=28.5mOhms,Id=35A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562