BF511,215
BF511,215,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:20 V; 最大连续漏极电流:30 mA; 最大漏极栅极电压:20 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-...
IRFR1010Z
IRFR1010Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.5mOhms,Id=91A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLR8726
IRLR8726,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=5.8mOhms,Id=86A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SK3557-6-TB-E
2SK3557-6-TB-E,场效应晶体管,品牌:ON,封装:CP-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:50 mA; 最大门源电压:-15 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-838...
2SK1875-V(TE85L,F)
2SK1875-V(TE85L,F),场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:USM-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大连续漏极电流:32 mA; 最大漏极栅极电压:-20 V; 工作温度:-55 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8389...
IRFU7540
IRFU7540,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.8mOhms,Id=110A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7807PBF-1
IRF7807PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=12V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF8736PBF-1
IRF8736PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.8mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFSL7530
IRFSL7530,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.0mOhms,Id=295A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLB3036
IRLB3036,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=60V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=2.4mOhms,Id=270A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFSL4310
IRFSL4310,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.0mOhms,Id=140A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6641
IRF6641,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MZ封装,参数为:VBrds=200V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=59.9mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IJW120R100T1FKSA1
IJW120R100T1FKSA1,场效应晶体管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:1200 V; 最大连续漏极电流:0.026 mA; 最大门源电压:2 V; 工作温度:-55 to 175 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价...
BFR30,215
BFR30,215,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:25 V; 最大连续漏极电流:10 mA; 最大门源电压:-25 V; 最大漏极栅极电压:-25 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. ...
IRL3803V
IRL3803V,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=30V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=5.5mOhms,Id=140A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFSL38N20D
IRFSL38N20D,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=200V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=54.0mOhms,Id=44A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BF862,235
BF862,235,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:20 V; 最大连续漏极电流:40 mA; 最大门源电压:-20 V; 最大漏极栅极电压:20 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询...
IRFB7534
IRFB7534,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.4mOhms,Id=195A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH8316
IRFH8316,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.95mOhms,Id=120A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF1010ZS
IRF1010ZS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.5mOhms,Id=94A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562