IRFU3710Z
IRFU3710Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=18mOhms,Id=39A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7807VD1
IRF7807VD1,集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SK932-23-TB-E
2SK932-23-TB-E,场效应晶体管,品牌:ON,封装:CP-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:50 mA; 最大漏极栅极电压:-15 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8...
IRLL024Z
IRLL024Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SOT-223封装,参数为:VBrds=55V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=60.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFSL4115
IRFSL4115,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=150V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=12.1mOhms,Id=99A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLR024N
IRLR024N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=65.0mOhms,Id=17A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7809AVPBF-1
IRF7809AVPBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=12V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFU4615
IRFU4615,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrds=150V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=42mOhms,Id=24A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7465
IRF7465,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=150V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=280.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFP7430
IRFP7430,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.3mOhms,Id=404A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SK209-BL(TE85L,F)
2SK209-BL(TE85L,F),场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:S-Mini-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大连续漏极电流:14 mA; 最大漏极栅极电压:-50 V; 工作温度:-55 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电...
CLF1G0035S-50,112
CLF1G0035S-50,112,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-467B-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:150(Min) V; 最大门源电压:3 V; 工作温度:-65 to 250 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897...
IRFH7936
IRFH7936,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 A封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.8mOhms,Id=76A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6629
IRF6629,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.1mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFHM8329
IRFHM8329,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 3.3 x 3.3封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=6.1mOhms,Id=57A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFB4229
IRFB4229,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=250V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=46.0mOhms,Id=46A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRL3803V
IRL3803V,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=30V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=5.5mOhms,Id=140A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6713S
IRF6713S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET SQ封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.0mOhms,Id=95A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6785
IRF6785,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MZ封装,参数为:VBrds=200V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=100.0mOhms,Id=19A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NE3514S02-A
NE3514S02-A,场效应晶体管,品牌:NEC,封装:Micro-X-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:4 V; 最大连续漏极电流:70 mA; 最大门源电压:-3 V; 工作温度:-65 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购...