IRLU024N
IRLU024N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=65mOhms,Id=11A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFSL4310Z
IRFSL4310Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=6.0mOhms,Id=127A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
J105
J105,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-25 V; 最大漏极栅极电压:25 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562
IRFB4710
IRFB4710,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=14.0mOhms,Id=75A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF3704ZCS
IRF3704ZCS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=20V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.9mOhms,Id=67A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MX2N4856
MX2N4856,场效应晶体管,品牌:Microsemi,封装:TO-18-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:40 V; 最大门源电压:-40 V; 最大漏极栅极电压:40 V; 工作温度:-65 to 200 ℃; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电...
IRF7401
IRF7401,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=20V,VGs=12V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBF5486
MMBF5486,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-25 V; 最大漏极栅极电压:25 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRL3803VS
IRL3803VS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=30V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=5.5mOhms,Id=140A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
U441
U441,场效应晶体管,品牌:Vishay,封装:TO-71-6,参数:配置:Dual; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-25 V; 最大漏极栅极电压:-25 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
NE3515S02-A
NE3515S02-A,场效应晶体管,品牌:NEC,封装:Micro-X-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:4 V; 最大连续漏极电流:88 mA; 最大门源电压:-3 V; 工作温度:-65 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购...
IRFR2407
IRFR2407,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=26.0mOhms,Id=42A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFB31N20D
IRFB31N20D,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=200V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=82.0mOhms,Id=31A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF2204S
IRF2204S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.6mOhms,Id=170A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF630N
IRF630N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=200V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=300.0mOhms,Id=9.5A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF1324S-7P
IRF1324S-7P,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak 7-Lead封装,参数为:VBrds=24V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.0mOhms,Id=429A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NE3503M04-A
NE3503M04-A,场效应晶体管,品牌:NEC,封装:Thin-Type Super Mini-Mold-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:4 V; 最大连续漏极电流:70 mA; 最大门源电压:-3 V; 工作温度:-65 to 125 ℃; 安装方式:Su...
IRFP3710
IRFP3710,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=25.0mOhms,Id=51A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRL6283M
IRL6283M,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MD封装,参数为:VBrds=20V,VGs=12V,RDS(on) Max 10V=0.75mOhms,Id=211A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6612
IRF6612,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.3mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562