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IRF7799L2

IRF7799L2,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET L8封装,参数为:VBrds=250V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=38.0mOhms,Id=35A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

  • Description:N-channel Power MOSFET
  • 品牌:IR
  • 封装:DirectFET L8
  • 描述:N沟道功率MOS管

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 250V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 38.0mΩ
  • Id: 35A
  • Description:N-channel Power MOSFET
  • 品牌:IR
  • 封装:DirectFET L8
  • 描述:N沟道功率MOS管

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