IRFU7746
IRFU7746,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-PAK封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=11.2mOhms,Id=42A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STGW45HF60WD
STGW45HF60WD,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:70 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电...
IKP10N60TXKSA1
IKP10N60TXKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:20 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-...
IRF7309PBF-1
IRF7309PBF-1,1N-1P双沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=30V,VGs Max=20V,RDS(on)4.5V N-ch=80.0mOhms,RDS(on)4.5V P-ch=160.0mOhms,RDS(on)10V N-ch=50.0mOhms,RDS(on)10V ...
IKP04N60TXKSA1
IKP04N60TXKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:8 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-838...
NE3509M04-T2-A
NE3509M04-T2-A,场效应晶体管,品牌:Renesas,封装:Thin-Type Super Mini-Mold-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:4 V; 最大连续漏极电流:60 mA; 最大门源电压:-3 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; ...
DDB6U30N08VR
DDB6U30N08VR,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:EASY750-9,参数:配置:Single; 通道类型:N; 引脚数目:9; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:26 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83...
IRGSL14C40LPBF
IRGSL14C40LPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-262-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:370 V; 最大连续集电极电流:20 A; 最大栅极发射极电压:10 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
FS100R06KE3
FS100R06KE3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:42-Pin ECONO 3,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:42; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:100(Typ) A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 库存实时更新,询报...
IRF9910
IRF9910,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=20V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=18.3mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF1503S
IRF1503S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.3mOhms,Id=190A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF1405
IRF1405,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=5.3mOhms,Id=133A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DF650R17IE4
DF650R17IE4,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:Module,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1700 V; 最大连续集电极电流:930 A; 最大栅极发射极电压:±20 V. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562
IRLR3636
IRLR3636,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=60V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=6.8mOhms,Id=99A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SK3738-TL-E
2SK3738-TL-E,场效应晶体管,品牌:ON,封装:SMCP-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:40 V; 最大连续漏极电流:1 mA; 最大漏极栅极电压:-40 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83...
IRG7PH50K10D
IRG7PH50K10D,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=1200V,Ic@100C=50A,Vce(ON)@25C typ=1.90V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRL8113S
IRL8113S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=6.0mOhms,Id=105A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FP10R06KL4_B3
FP10R06KL4_B3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:20-Pin EASY2,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:20; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:16 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-...
NGTB10N60FG
NGTB10N60FG,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ON,封装:TO-220F-3-FS,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:20 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 150 ℃. 询报价...
FS75R12KT3G
FS75R12KT3G,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:42-Pin ECONO 3,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:42; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:100 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:075...