IRG8CH97K10F
IRG8CH97K10F,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=1200V,Ic@100C=100A,Vce(ON)@25C typ=1.70V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FZ2400R17KE3_B2
FZ2400R17KE3_B2,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:IHM190-9,参数:配置:Triple Common Emitter Common Gate; 通道类型:N; 引脚数目:9; 最大集电极发射极电压:1700 V; 最大连续集电极电流:3600 A; 最大栅极发射极电压:±20 ...
IRGB4715DPBF
IRGB4715DPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:21 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 175 ℃. 询报价及...
IRLR8103V
IRLR8103V,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=9.0mOhms,Id=89A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLML6302TRPBF-1
IRLML6302TRPBF-1,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrdss=-20V,VGs=12V,RDS(on) Max 4.5V=600.0mOhms,Qg Typ=2.4nC,Rth(JC)=230 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83...
IRG4RC10UDTRRP
IRG4RC10UDTRRP,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:8.5 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562...
IKW40T120FKSA1
IKW40T120FKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:75 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8...
SKP10N60A
SKP10N60A,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:20 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897...
STGD7NB120S-1
STGD7NB120S-1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:IPAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:10 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电...
IRF3703
IRF3703,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.8mOhms,Id=210A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FS225R12OE4PBOSA1
FS225R12OE4PBOSA1,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:Module,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:350 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw; 工作温度:-40 to 150 ℃. 询报价及购...
STGW39NC60VD
STGW39NC60VD,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报...
IRF2903Z
IRF2903Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.4mOhms,Id=260A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLHS6276
IRLHS6276,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,PQFN 2 x 2封装,参数为:VBrdss=20V,VGs Max=12V,RDS(on) Max 4.5V=45mOhms,Rth(JA)=86C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGC4061B
IRGC4061B,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=600V,Vce(ON)@25C typ=1.65V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLB8743
IRLB8743,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.2mOhms,Id=150A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7526D1
IRF7526D1,集成肖特基二极管的P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=200.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=400.0mOhms,Qg Typ=7.5nC,Rth(JC)=100 (JA)K/W,库...
IKP15N60TXKSA1
IKP15N60TXKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:30 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-...
IRFR540Z
IRFR540Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=28.5mOhms,Id=35A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IGW25N120H3
IGW25N120H3,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:50 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:07...