IRFR220N
IRFR220N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=200V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=600.0mOhms,Id=5A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STGB35N35LZT4
STGB35N35LZT4,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:380 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:16 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电...
IRL540N
IRL540N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=100V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=44.0mOhms,Id=36A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBFJ201
MMBFJ201,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-40 V; 最大漏极栅极电压:40 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897...
NGTB25N120IHLWG
NGTB25N120IHLWG,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ON,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:50 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-838975...
IRF2807
IRF2807,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=13.0mOhms,Id=82A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGS10B60KDTRLP
IRGS10B60KDTRLP,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:22 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8389756...
IRF7404PBF-1
IRF7404PBF-1,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-20V,VGs=12V,RDS(on) Max 4.5V=40.0mOhms,Qg Typ=32.7nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STGP19NC60HD
STGP19NC60HD,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电...
SMMBFJ310LT3G
SMMBFJ310LT3G,场效应晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:25 V; 最大门源电压:25 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRFP064N
IRFP064N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=8.0mOhms,Id=98A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
RJH60M0DPQ-E0#T2
RJH60M0DPQ-E0#T2,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Renesas,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:45 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 150 ...
2SK3557-7-TB-E
2SK3557-7-TB-E,场效应晶体管,品牌:ON,封装:CP-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:50 mA; 最大门源电压:-15 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0...
IRGS4064D
IRGS4064D,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=10A,Vce(ON)@25C typ=1.60V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STGW38IH130D
STGW38IH130D,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1300 V; 最大连续集电极电流:63 A; 最大栅极发射极电压:±25 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致...
FZ1200R17HP4NPSA1
FZ1200R17HP4NPSA1,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:IHM-B-7,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:7; 最大集电极发射极电压:1700 V; 最大连续集电极电流:1200(Typ) A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw; 工作温度:-40...
FF100R12RT4
FF100R12RT4,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:7-Pin,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:7; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:100(Typ) A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 库存实时更新,询报价及购买请致电:...
IRGC4630B
IRGC4630B,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=30A,Vce(ON)@25C typ=1.65V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STGW40H65FB
STGW40H65FB,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 t...
IRF7313
IRF7313,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=30V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=46mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562