IRFHM8330
IRFHM8330,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 3.3 x 3.3封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=6.6mOhms,Id=55A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FGPF50N33BTTU
FGPF50N33BTTU,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-220F-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:330 V; 最大连续集电极电流:50 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8...
FF400R12KT3
FF400R12KT3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:7-Pin 62MM,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:7; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:580 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83...
IRFH4213
IRFH4213,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.35mOhms,Id=100A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BSM100GB60DLC
BSM100GB60DLC,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:7-Pin 34MM,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:7; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:130 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-8...
IRGB4B60KD1PBF
IRGB4B60KD1PBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:11 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-838975...
STGWT40H60DLFB
STGWT40H60DLFB,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-3P-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55...
IRF7483M
IRF7483M,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MF封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.3mOhms,Id=135A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
RJH60M3DPQ-E0#T2
RJH60M3DPQ-E0#T2,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Renesas,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:35 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 150 ...
IRF100B202
IRF100B202,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=8.6mOhms,Id=97A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF640NS
IRF640NS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=200V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=150.0mOhms,Id=18A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG4PC50UDPBF
IRG4PC50UDPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:55 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8389756...
FGH75T65UPD_F085
FGH75T65UPD_F085,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-247AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:150 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to...
BFR31,215
BFR31,215,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:25 V; 最大连续漏极电流:10 mA; 最大门源电压:-25 V; 最大漏极栅极电压:-25 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. ...
SGW30N60
SGW30N60,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:41 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562...
IRGP4066DPBF
IRGP4066DPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:140 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-...
IRGC4275B
IRGC4275B,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=650V,Ic@100C=200A,Vce(ON)@25C typ=1.60V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF8513
IRF8513,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=30V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=16.9mOhms,Rth(JA)=62.5 (Q2)C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6635
IRF6635,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.8mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STGP30NC60W
STGP30NC60W,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ST Micro,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897...