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IRFH4213D

IRFH4213D,集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.35mOhms,Id=100A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

  • Description:N-channel Power MOSFET with Schottky
  • 品牌:IR
  • 封装:PQFN 5 x 6 B/E
  • 描述:集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管

电气特性 Features

  • 集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.35mΩ
  • Id: 100A
  • Description:N-channel Power MOSFET with Schottky
  • 品牌:IR
  • 封装:PQFN 5 x 6 B/E
  • 描述:集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管

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