IRG4BC20FD
IRG4BC20FD,高速(1-8kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=9A,Vce(ON)@25C typ=1.66V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFIZ34N
IRFIZ34N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220 FullPak (Iso)封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=40.0mOhms,Id=19A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFIZ48N
IRFIZ48N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220 FullPak (Iso)封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=16.0mOhms,Id=36A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STGP19NC60SD
STGP19NC60SD,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ST Micro,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8389...
2SK932-23-TB-E
2SK932-23-TB-E,场效应晶体管,品牌:ON,封装:CP-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:50 mA; 最大漏极栅极电压:-15 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8...
FF300R12ME4
FF300R12ME4,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:Module-11,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:11; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:450 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 库存实时更新,询报价及购买请致电:...
IRFS4010
IRFS4010,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.7mOhms,Id=180A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FS50R07W1E3B11ABOMA1
FS50R07W1E3B11ABOMA1,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:18-Pin EASY1B,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:18; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:70 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw; 工作温度:-4...
TIM6472-60SL
TIM6472-60SL,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:3-Pin 2-16G1B,参数:配置:Single; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:20000 mA; 最大门源电压:-5 V; 工作温度:-65 to 175 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-8389756...
STGW30H60DF
STGW30H60DF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 t...
IKP04N60TXKSA1
IKP04N60TXKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:8 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-838...
IRFZ44ZS
IRFZ44ZS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=13.9mOhms,Id=51A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STGW40V60F
STGW40V60F,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to...
TIM5867-15UL
TIM5867-15UL,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:3-Pin 2-16G1B,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:12000 mA; 最大门源电压:-5 V; 工作温度:-65 to 175 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:07...
IRFB23N15D
IRFB23N15D,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=150V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=90.0mOhms,Id=23A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF520NS
IRF520NS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=200.0mOhms,Id=9.5A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BF1108,215
BF1108,215,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-4,参数:询报价及购买请致电:0755-83897562
IRLS3034-7P
IRLS3034-7P,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak 7-Lead封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.4mOhms,Id=380A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BFR30,235
BFR30,235,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:25 V; 最大连续漏极电流:10 mA; 最大门源电压:-25 V; 最大漏极栅极电压:-25 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. ...
IRLR3915
IRLR3915,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=14.0mOhms,Id=61A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562