IRFR3910,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=115.0mOhms,Id=15A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGC50B120KB,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=1200V,Vce(ON)@25C typ=2.15V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFB7734,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.5mOhms,Id=183A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFR24N15D,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=150V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=95.0mOhms,Id=24A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SK932-24-TB-E,场效应晶体管,品牌:ON,封装:CP-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:50 mA; 最大漏极栅极电压:-15 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8...
IRF1018ES,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=8.4mOhms,Id=79A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFS7430-7P,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak 7-Lead封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=0.75mOhms,Id=522A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FS150R12KT4,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:35-Pin ECONO 3,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:35; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:150 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 库存实时更新,询报价及购买...
ATF-58143-BLKG,场效应晶体管,品牌:Avago,封装:SOT-343-4,参数:配置:Single Dual Source; 最大漏源电压:5 V; 最大连续漏极电流:100 mA; 最大门源电压:1 V; 最大漏极栅极电压:-5 to 1 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surfa...
SGW50N60HS,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:100 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897...
STGW35HF60W,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ST Micro,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897...
IRFS4615,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=150V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=42.0mOhms,Id=33A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH5204,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.3mOhms,Id=100A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF2204,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.6mOhms,Id=210A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SKP15N60,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:31 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-838975...
SGP13N60UFDTU,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:13 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83...
IRG4BC20FD,高速(1-8kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=9A,Vce(ON)@25C typ=1.66V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF8736PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.8mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PMBFJ620,115,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:TSSOP-6,参数:配置:Dual; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:25 V; 最大门源电压:-25 V; 最大漏极栅极电压:-25 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-838...
IRGS4045DPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:12 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
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