STGW20IH125DF
STGW20IH125DF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1250 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-5...
AUIRGS4062D1TRL
AUIRGS4062D1TRL,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:59 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8389756...
FGH50T65UPD
FGH50T65UPD,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:100 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 175 ℃....
IRFB3607
IRFB3607,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=9.0mOhms,Id=80A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IGW40N65F5FKSA1
IGW40N65F5FKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:74 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 175 ...
SKW20N60
SKW20N60,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562...
IRF6617
IRF6617,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET ST封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=8.1mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SGW20N60
SGW20N60,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-8...
IRG4BC30S
IRG4BC30S,DC-1kHz(标准)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=18A,Vce(ON)@25C typ=1.40V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF3709Z
IRF3709Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=6.3mOhms,Id=87A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FP100R07N3E4
FP100R07N3E4,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:Module-43,参数:配置:Array 7; 通道类型:N; 引脚数目:43; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:100(Typ) A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 库存实时更新,询报...
TIM8596-15
TIM8596-15,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:3-Pin 2-11C1B,参数:配置:Single; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:11500 mA; 最大门源电压:-5 V; 工作温度:-65 to 175 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRG6B330UD
IRG6B330UD,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:Vces=330V,Ic@100C=40A,Vce(ON)@25C typ=1.36V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFHM8235
IRFHM8235,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 3.3 x 3.3封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.7mOhms,Id=50A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NGB18N40ACLBT4G
NGB18N40ACLBT4G,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ON,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:430 V; 最大连续集电极电流:18 A; 最大栅极发射极电压:18 V; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-8...
GB15XF120K
GB15XF120K,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Vishay,封装:17-Pin ECONO2 6PACK,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:17; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:25 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:07...
IRG7PH35U
IRG7PH35U,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=1200V,Ic@100C=35A,Vce(ON)@25C typ=1.90V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGS10B60KD
IRGS10B60KD,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=12A,Vce(ON)@25C typ=1.80V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
J111_D26Z
J111_D26Z,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-35 V; 最大漏极栅极电压:35 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-838975...
IRG4BC30U
IRG4BC30U,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=12A,Vce(ON)@25C typ=1.95V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562