IRFS4010-7P
IRFS4010-7P,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak 7-Lead封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.0mOhms,Id=190A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BF1108R,235
BF1108R,235,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-143R-4,参数:配置:Single Dual Gate; 最大漏源电压:3 V; 最大连续漏极电流:10 mA; 最大门源电压:7 V; 最大漏极栅极电压:7 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价...
FGB3236_F085
FGB3236_F085,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-263AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:330 V; 最大连续集电极电流:44 A; 最大栅极发射极电压:±12 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-...
IRF8113PBF-1
IRF8113PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=5.6mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG8P40N120KD-EPBF
IRG8P40N120KD-EPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AD-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 150 ...
NGTB30N65IHL2WG
NGTB30N65IHL2WG,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ON,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 175 ℃. 询报价...
ISL9V2040S3ST
ISL9V2040S3ST,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:390 V; 最大连续集电极电流:10 A; 最大栅极发射极电压:±10 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83...
IRGB14C40L
IRGB14C40L,DC-1kHz(标准)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:Vces=430V,Ic@100C=14A,Vce(ON)@25C typ=1.55V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STGWT40V60DF
STGWT40V60DF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-3P-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 t...
IRGP30B120KDPBF
IRGP30B120KDPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AD-3,参数:询报价及购买请致电:0755-83897562
HGTG40N60A4
HGTG40N60A4,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:75 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8389...
IRFIZ24N
IRFIZ24N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220 FullPak (Iso)封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=70.0mOhms,Id=13A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFP4227
IRFP4227,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=200V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=25.0mOhms,Id=65A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NGD15N41ACLT4G
NGD15N41ACLT4G,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ON,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:440 V; 最大连续集电极电流:15 A; 最大栅极发射极电压:15 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRF3710S
IRF3710S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=23.0mOhms,Id=57A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STGF14NC60KD
STGF14NC60KD,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220FP-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:11 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请...
DD400S17K6C_B2
DD400S17K6C_B2,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:IHM190-7,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:7; 最大集电极发射极电压:1700 V; 最大连续集电极电流:400 A; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRG8P08N120KDPBF
IRG8P08N120KDPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:15 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 150 ℃....
STGD10NC60KT4
STGD10NC60KT4,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:20 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电...
IRG7CH73UEF-R
IRG7CH73UEF-R,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=1200V,Ic@100C=75A,Vce(ON)@25C typ=1.60V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562