注册账号 | 忘记密码
IRF8313,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=30V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=21.6mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
74LVT125D低功耗CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采...
74HC541D高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用7...
ATMEGA48V-10AU单片机,微控制器由ATMEL原厂...
SN74LV4053APWR低功耗CMOS逻辑IC由TI原厂...
AT25080B-SSHL-T存储器,存储芯片由ATMEL原...
SN74AHC373DWR先进高速CMOS逻辑IC由TI原厂...
93C66A-10SU27存储器,存储芯片,3线串行EEPR...
MC14023BDR2G CMOS电路,数字逻辑IC由ON原...
AT89LV55-12PI单片机,低功耗高性能的CMOS 8...