IRF7910,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=12V,VGs Max=12V,RDS(on) Max 4.5V=15mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6723M2D,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MA封装,参数为:VBrdss=30V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=11.3mOhms,Rth(JA)=56C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7509,1N-1P双沟道MOS管,由IR原厂生产,Micro 8封装,参数为:VBrdss=30V,VGs Max=20V,RDS(on)4.5V N-ch=175.0mOhms,RDS(on)4.5V P-ch=400.0mOhms,RDS(on)10V N-ch=110.0mOhms,RDS(on)10V ...
IRF7904,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=30V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=13.0mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7503,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,Micro 8封装,参数为:VBrdss=30V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=222mOhms,Rth(JA)=100C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7307Q,1N-1P双沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=20V,VGs Max=12V,RDS(on)4.5V N-ch=50.0mOhms,RDS(on)4.5V P-ch=90.0mOhms,RDS(on)10V P-ch=58.0mOhms,RDS(on)2.7V N-ch...
IRF9952,1N-1P双沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=30V,VGs Max=20V,RDS(on)4.5V N-ch=150.0mOhms,RDS(on)4.5V P-ch=400.0mOhms,RDS(on)10V N-ch=100.0mOhms,RDS(on)10V P-c...
IRFI4212H-117P,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,TO-220 Full-Pak 5-Pin封装,参数为:VBrdss=100V,VGs Max=20V,Rth(JA)=65C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFHM8363,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,PQFN 3.3 x 3.3 E封装,参数为:VBrdss=30V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=20.4mOhms,Rth(JA)=47C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRL6372,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=30V,VGs Max=12V,RDS(on) Max 4.5V=17.9mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF8915,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=20V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=27mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7306,双P沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=160mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7907PBF-1,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=30V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=13.7mOhms,Rth(JA)=62.5 (Q2)C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7105,1N-1P双沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=25V,VGs Max=20V,RDS(on)4.5V N-ch=160.0mOhms,RDS(on)4.5V P-ch=400.0mOhms,RDS(on)10V N-ch=100.0mOhms,RDS(on)10V P-c...
IRFI4019H-117P,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,TO-220 Full-Pak 5-Pin封装,参数为:VBrdss=150V,VGs Max=20V,Rth(JA)=65C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFHE4250D,双N沟道带肖特基的MOS管,由IR原厂生产,PQFN 6 x 6封装,参数为:VBrdss=25V,VGs Max=16V,RDS(on) Max 4.5V=1.0mOhms,Rth(JA)=24C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF9910,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=20V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=18.3mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7301,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=20V,VGs Max=12V,RDS(on) Max 4.5V=50mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7104,双P沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-20V,VGs Max=12V,RDS(on) Max 4.5V=400mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7506,双P沟道MOS管,由IR原厂生产,Micro 8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=450mOhms,Rth(JA)=100C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
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