注册账号 | 忘记密码
IRF7341,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=55V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=65mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
74HC21D高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用SO...
25128B-SSHL-T存储器,存储芯片由ATMEL原厂生...
74HC86D高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用SO...
SN74LV4066ADR低功耗逻辑IC由TI原厂生产,采用...
74HC597D高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用S...
AT28C64B-15JU存储器,存储芯片由ATMEL原厂生...
74HC590D高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用S...
SN74AHC1G14DCKR先进高速CMOS逻辑IC由TI...
AT91R40008-66AU单片机,ARM核心微控制器由A...