注册账号 | 忘记密码
IRF7341,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=55V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=65mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
89C51-24PI单片机,微控制器由ATMEL原厂生产,采...
74AHC138D先进高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,...
AT24C1024B-PU25存储器,存储芯片由ATMEL原...
74HCT125PW高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采...
24C02C-SSHM-T存储器,存储芯片由ATMEL原厂生...
74LVC1G17GW低功耗CMOS逻辑IC由NXP原厂生产...
74LVC1G14GW低功耗CMOS逻辑IC由NXP原厂生产...
74HC04PW高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用T...
89C2051-24PU单片机,微控制器由ATMEL原厂生产...