注册账号 | 忘记密码
IRF7341,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=55V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=65mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
AT93C86A-10SU27存储器,存储芯片,3线串行EE...
SN74HC00PWR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采...
74HC257PW高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用...
74HC393D高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用S...
ATMEGA329PV-10AU单片机,微控制器由ATMEL...
SN74LVC2G14DBVR低功耗CMOS逻辑IC由TI原...
25040B-SSHL-T存储器,存储芯片由ATMEL原厂生...
MC14073BDR2G CMOS电路,数字逻辑IC由ON原...
SN74HC245DWR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产,...