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IRF7343

IRF7343,1N-1P双沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=55V,VGs Max=20V,RDS(on)4.5V N-ch=65.0mOhms,RDS(on)4.5V P-ch=170.0mOhms,RDS(on)10V N-ch=50.0mOhms,RDS(on)10V P-ch=105.0mOhms,Qg Typ N-ch=24.0nC,Qg Typ P-ch=26.0nC,Qgd Typ N-ch=7.0nC,Qgd Typ P-ch=8.4nC,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

  • 品牌:IR
  • 封装:SO-8
  • 描述:1N-1P双沟道MOS管
  • Description:1N-1P-channel MOSFET

电气特性 Features

  • 1N-1P双沟道MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs(Max): 20V
  • RDS(on)@4.5V N-ch: 65.0mΩ
  • RDS(on)@4.5V P-ch: 170.0mΩ
  • RDS(on)@10V N-ch: 50.0mΩ
  • RDS(on)@10V P-ch: 105.0mΩ
  • Qg Typ N-ch: 24.0nC
  • Qg Typ P-ch: 26.0nC
  • Qgd Typ N-ch: 7.0nC
  • Qgd Typ P-ch: 8.4nC
  • Rth(JA): 62.5℃/W
  • 品牌:IR
  • 封装:SO-8
  • 描述:1N-1P双沟道MOS管
  • Description:1N-1P-channel MOSFET

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