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IRFR9120N

IRFR9120N,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrdss=-100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=480.0mOhms,Qg Typ=18.0nC,Rth(JC)=3.2K/W,Power Dissipation@TC 25C=39W,Id@TC 25C=-6.5A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

  • 品牌:IR
  • 封装:D-Pak
  • 描述:P沟道功率MOS管
  • Description:P-channel Power MOSFET

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 480.0mΩ
  • Qg(Typ): 18.0nC
  • Rth(JC): 3.2K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 39W
  • Id@TC 25C: -6.5A
  • 品牌:IR
  • 封装:D-Pak
  • 描述:P沟道功率MOS管
  • Description:P-channel Power MOSFET

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