注册账号 | 忘记密码
IRLML6401,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrdss=-12V,VGs=8V,RDS(on) Max 4.5V=50.0mOhms,Qg Typ=10.0nC,Rth(JC)=100 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
24C16C-SSHM-T存储器,存储芯片由ATMEL原厂生...
SN74AHC00PWR先进高速CMOS逻辑IC由TI原厂生...
74HCT74PW高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用...
24C04B-TH-T存储器,存储芯片由ATMEL原厂生产,...
SN74AHC132PWR先进高速CMOS逻辑IC由TI原厂...
24C512C-SSHD-T存储器,存储芯片由ATMEL原厂...
ATXMEGA32A4-AU单片机,AVR嵌入式微控制器由A...
SN74HCT74DR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采...
74HC86PW高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用T...