IRF9383M
IRF9383M,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.9mOhms,RDS(on) Max 4.5V=4.8mOhms,Qg Typ=130.0nC,Rth(JC)=1.1K/W,Power Dissipation@TC 25C=113W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
- Description：P-channel Power MOSFET
- 品牌：IR
- 封装：DirectFET MX
- 描述：P沟道功率MOS管
