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IRFHS8342

IRFHS8342,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 2 x 2封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=16.0mOhms,Id=19A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

  • 品牌:IR
  • 封装:PQFN 2 x 2
  • 描述:N沟道功率MOS管
  • Description:N-channel Power MOSFET

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 16.0mΩ
  • Id: 19A
  • 品牌:IR
  • 封装:PQFN 2 x 2
  • 描述:N沟道功率MOS管
  • Description:N-channel Power MOSFET

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