注册账号 | 忘记密码
IRFH8318,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.1mOhms,Id=120A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
74HC253D高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用S...
MC14073BDR2G CMOS电路,数字逻辑IC由ON原...
U2270B-MFPY射频IC由ATMEL原厂生产,采用SO...
93C86A-10SU27存储器,存储芯片,3线串行EEPR...
24C02N-10SU1.8存储器,存储芯片由ATMEL原厂...
28C64B-15SU存储器,存储芯片由ATMEL原厂生产,...
AT24C02C-SSHM-T存储器,存储芯片由ATMEL原...
AT29LV020-12JI存储器,存储芯片由ATMEL原厂...
24C08B-TH-T存储器,存储芯片由ATMEL原厂生产,...