NSVMUN2212T1G
NSVMUN2212T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SC-59-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:60@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报...
NJVMJD45H11RLG
NJVMJD45H11RLG,功率晶体管,品牌:ON,封装:DPAK-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:60@2A@1V|40@4A@1V; 最大工作频率:85(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.4A@...
PBSS8110X,135
PBSS8110X,135,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-89-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:150@1mA@10V|150@250mA@10V|100@500mA@10V|80@1A@10V; 最大工作频...
BCR35PN H6327
BCR35PN H6327,数字晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-363-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:70@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface ...
PXT2907A,115
PXT2907A,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-89-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:75@0.1mA@1V|100@1mA@1V|100@10mA@10V|100@150mA@2V|50@500m...
NE663M04-A
NE663M04-A,功率晶体管,品牌:NEC,封装:Thin-Type Super Mini-Mold-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:3.3 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:50@10mA@2V; 最大集电极基极电压:15 V; 工作温度:-65 t...
MUN2238T1G
MUN2238T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SC-59-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:160@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购...
BD242CG
BD242CG,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-220AB-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:25@1A@4V|10@3A@4V; 最大工作频率:3(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1.2@0.6A@3...
MJD41C
MJD41C,贴片晶体管,三极管,TO-252-2L(4R)封装,参数为:Pcm=1250mW,Ic=6000mA,BVcbo=100V,BVceo=100V,BVebo=5V,hfe(Min)=15,hfe(Max)=75,Vce(sat)=1.5V,fr=3MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897...
BC847BM,315
BC847BM,315,功率晶体管,品牌:NXP,封装:DFN-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.2@0.5mA@10mA...
HM4033
HM4033,贴片晶体管,三极管,SOT-89-3L封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=1000mA,BVcbo=80V,BVceo=80V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=-,Vce(sat)=0.5V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
KSD1691YS
KSD1691YS,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-126-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:160@2A@1V; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.2A@2A V; 最大集电极基极电压:60 V; ...
PBSM5240PF,115
PBSM5240PF,115,PNP晶体管带有N沟道沟槽MOSFET,品牌:NXP,封装:HUSON-6 EP,参数:分类:PNP Transistor with N-Channel Trench MOSFET; 引脚数目:6; 工作温度:-55 to 150 ℃; 所属系列:PBSM5240PF; 安装方式:Surf...
ZTX449
ZTX449,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:E-Line-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:70@50mA@2V|100@500mA@2V|80@1A@2V|40@2A@2V; 最大工作频率:150(Min) MH...
MMSTA13-7-F
MMSTA13-7-F,三极管,达林顿管,品牌:Diodes,封装:SOT-323-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:30 V; 峰值DC直流集电极电流:0.3 A; 最小DC直流电流增益:5000@10mA@5V|10000@100mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@1...
PDTC123EU,115
PDTC123EU,115,数字晶体管,品牌:NXP,封装:SC-70-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:30@20mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询...
30A02MH-TL-E
30A02MH-TL-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:MCPH-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:0.7 A; 最小DC直流电流增益:200@10mA@2V; 最大工作频率:520(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.22@10mA@20...
DDTC114TCA-7-F
DDTC114TCA-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mou...
DCP52-13
DCP52-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:40@150mA@2V|25@500mA@2V; 最大工作频率:200(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压...
MMUN2113LT3G
MMUN2113LT3G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报...