PDTB113EUF,数字晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-323-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:500 mA; 最小DC直流电流增益:33@50mA@5V; 工作温度:-55 to 175 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报...
ZTX718STZ,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:E-Line-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:2.5 A; 最小DC直流电流增益:300@10mA@2V|300@100mA@2V|150@2A@2V|35@4A@2V|15@6A@2V; 最大...
BD135,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-32-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:25@5mA@2V|25@500mA@2V|40@150mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:...
2SC4097,贴片晶体管,三极管,SOT-323封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=500mA,BVcbo=40V,BVceo=32V,BVebo=5V,hfe(Min)=82,hfe(Max)=390,Vce(sat)=0.4V,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BCR198E6327HTSA1,数字晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:70@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface ...
FJP2160DTU,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-220-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:800 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:20@0.4A@3V|20@5mA@10V; 最大工作频率:5(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电...
AT-32033-TR2G,功率晶体管,品牌:Avago,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:5.5 V; 最大DC直流集电极电流:0.032 A; 最小DC直流电流增益:70@2mA@2.7V; 最大工作频率:10000 MHz; 最大集电极基极电压:11 V; 工作温...
ZXTN25020DGTA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:7 A; 最小DC直流电流增益:300@10mA@2V|250@2A@2V|50@7A@2V; 最大工作频率:215(Typ) MHz; ...
2SA1727TLP,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:CPT-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:82@50mA@5V; 最大工作频率:12(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1@10mA@100mA V...
2SC3052,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=150mW,Ic=200mA,BVcbo=50V,BVceo=50V,BVebo=6V,hfe(Min)=150,hfe(Max)=800,Vce(sat)=0.3V,fr=180MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BC846,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=100mA,BVcbo=80V,BVceo=65V,BVebo=6V,hfe(Min)=110,hfe(Max)=450,Vce(sat)=0.5V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FJB102TM,三极管,达林顿管,品牌:Fairchild,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:1000@3A@4V|200@8A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2@6mA@3A|2.5@80...
2N5551G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:160 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:80@1mA@5V|80@10mA@5V|30@50mA@5V; 最大工作频率:300 MHz; 最大集电极发射极饱和电压:...
EMG11T2R,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:EMT-5,参数:配置:Dual Common Emitter; 类型:NPN; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@10mA@5V; 工作温度:-50 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0...
2N2222A,功率晶体管,品牌:Microsemi,封装:TO-18-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.8 A; 最小DC直流电流增益:50@0.1mA@10V|75@1mA@10V|100@10mA@10V|100@150mA@10V|30@50...
DXT2013P5-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:PowerDI 5-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:100@10mA@1V|100@1A@1V|25@3A@1V|15@4A@1V; 最大工作频率:125...
BFX34,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-39-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:40@2A@2V|100(Typ)@1A@2V|75(Typ)@1.5A@0.6V; 最大工作频率:1...
2SD886,晶体管,三极管,TO-126封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=3000mA,BVcbo=50V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.5V,fr=80+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NZT560A,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:70@100mA@2V|250@500mA@2V|80@1A@2V|25@3A@2V; 最大工作频率:75(Mi...
MMBTA05-7-F,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:100@10mA@1V|100@100mA@1V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射...
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