DMB53D0UDW-7
DMB53D0UDW-7,N沟道增强型MOSFETPNP晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-363-6,参数:分类:N-Channel Enhancement Mode MOSFET Plus PNP Transistor; 引脚数目:6; 工作温度:-55 to 150 ℃; 所属系列:DMB53D0UDW; ...
DDTC143XE-7-F
DDTC143XE-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-523-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:30@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:075...
BC557
BC557,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=100mA,BVcbo=50V,BVceo=45V,BVebo=5V,hfe(Min)=120,hfe(Max)=800,Vce(sat)=0.65V,fr=150+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BCW60FFE6327HTSA1
BCW60FFE6327HTSA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:32 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:40@10uA@5V|250@2mA@5V|90@50mA@1V; 最大工作频率:250(T...
ZTX1147ASTOA
ZTX1147ASTOA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:E-Line-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:270@10mA@2V|250@500mA@2V|200@2A@2V|170@4A@2V|90@10A@2V;...
2SD1782
2SD1782,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=500mA,BVcbo=80V,BVceo=80V,BVebo=5V,hfe(Min)=120,hfe(Max)=390,Vce(sat)=0.5V,fr=120+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STX790A-AP
STX790A-AP,功率晶体管,品牌:ST Micro,封装:TO-92-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:100@10mA@2V|100@500mA@2V|100@1A@2V|100@2A@1V|90@3A@1V; 最...
ZTX694BSTZ
ZTX694BSTZ,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:E-Line-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:120 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:500@100mA@2V|400@200mA@2V|150@400mA@2V; 最大工作频率:130(Min...
KSB798GTF
KSB798GTF,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-89-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:25 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:200@100mA@1V; 最大工作频率:110(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@0.1...
BCW33LT3G
BCW33LT3G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:32 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:420@2mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@0.5mA@10mA V; 最大集电极基极电压:32 V; ...
DC0150ADJ-7
DC0150ADJ-7,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-963-6,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:120@2mA@6V; 最大工作频率:60(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25...
2N4403BU
2N4403BU,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:30@0.1mA@1V|60@1mA@1V|100@10mA@1V|100@150mA@2V|20@500mA...
APT13003DZTR-G1
APT13003DZTR-G1,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:450 V; 最大DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:16@0.5A@2V|5@1A@2V; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.1A@0.5A|0.4...
2SB1201S-E
2SB1201S-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:TP-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:140@100mA@2V; 最大工作频率:150(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.7@50mA@1A V; 最大...
CPH3115-TL-H
CPH3115-TL-H,功率晶体管,品牌:ON,封装:CPH-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:200@100mA@2V; 最大工作频率:450(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.375@15mA@7...
S9013
S9013,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=500mA,BVcbo=40V,BVceo=25V,BVebo=5V,hfe(Min)=64,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.6V,fr=150MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PDTC143ET,235
PDTC143ET,235,数字晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:30@10mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount...
PBSS9110X,135
PBSS9110X,135,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-89-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:150@1mA@5V|150@250mA@5V|150@0.5A@5V|125@1A@5V; 最大工作频率:10...
MMBTH81
MMBTH81,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:0.05 A; 最小DC直流电流增益:60@5mA@10V; 最大工作频率:600(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@0.5m...
FMMT495QTA
FMMT495QTA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:150 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:100@1mA@10V|100@250mA@10V|50@500mA@10V|10@1A@10V; 最大集电极发...