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PDTA113ET,215

PDTA113ET,215,数字晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:30@40mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount...

ZXTP25012EZTA

ZXTP25012EZTA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-89-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:4.5 A; 最小DC直流电流增益:500@10mA@2V|300@1A@2V|40@4.5A@2V; 最大工作频率:310(Typ) MH...

BC857S H6327

BC857S H6327,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-363-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:250(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@...

TD62084AFNG(O,N)

TD62084AFNG(O,N),三极管,达林顿管,品牌:Toshiba,封装:SSOP-18,参数:配置:Octal; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.6@350mA|1.3@20...

ULN2803A

ULN2803A,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:PDIP-18,参数:配置:Octal Common Emitter; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@250uA@100mA|1.3@350u...

BCX53TA

BCX53TA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-89-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:25@5mA@2V|40@150mA@2V|25@500mA@2V; 最大工作频率:150(Min) MHz; 最大集电...

PDTC143ZE,115

PDTC143ZE,115,数字晶体管,品牌:NXP,封装:SC-75-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@10mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. ...

CPH5905H-TL-E

CPH5905H-TL-E,NPN外延硅晶体管和N沟道硅结场效应晶体管,品牌:ON,封装:CPH-5,参数:分类:NPN Epitaxial Silicon Transistor and N-Channel Silicon Junction Field Effect Transistor; 引脚数目:5; 工作温度:-...

BUL58D

BUL58D,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:450 V; 最大DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:5@5A@5V|38(Typ)@500mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@0.8A@...

2STA2120

2STA2120,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-3P-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:250 V; 最大DC直流集电极电流:17 A; 最小DC直流电流增益:80@1A@5V|35@7A@5V; 最大工作频率:25(Typ) MHz; 最大集电极发射...

MJD117T4

MJD117T4,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-252-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:200@4A@3V|500@500mA@3V|1000@2A@3V; 最大集电极...

KSA928A

KSA928A,晶体管,三极管,TO-92MOD封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=2000mA,BVcbo=30V,BVceo=30V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=320,Vce(sat)=2V,fr=120+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

DTDG14GPT100

DTDG14GPT100,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:MPT-4,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:70 V; 峰值DC直流集电极电流:1000 mA; 最小DC直流电流增益:300@500mA@2V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. ...

DDTB133HU-7-F

DDTB133HU-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-323-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 峰值DC直流集电极电流:500 mA; 最小DC直流电流增益:56@50mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:075...

BCR562E6327

BCR562E6327,数字晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:500 mA; 最小DC直流电流增益:60@50mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Moun...

DTC123EMT2L

DTC123EMT2L,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:VMT-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:20@20mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755...

DDTB113ZU-7-F

DDTB113ZU-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-323-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 峰值DC直流集电极电流:500 mA; 最小DC直流电流增益:56@50mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:075...

BD434

BD434,晶体管,三极管,TO-126封装,参数为:Pcm=1250mW,Ic=4000mA,BVcbo=22V,BVceo=22V,BVebo=5V,hfe(Min)=85,hfe(Max)=375,Vce(sat)=0.5V,fr=3MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

KSB1017YTU

KSB1017YTU,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-220F-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:120@0.5A@5V; 最大工作频率:9(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1.7@0.3A...

DTA144TET1G

DTA144TET1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SC-75-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:120@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及...