MJE5852G
MJE5852G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-220AB-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:15@2A@5V|5@5A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:2@1A@4A|5@3A@8A V; 工作温度:-65 t...
RN1401(TE85L,F)
RN1401(TE85L,F),数字晶体管,品牌:Toshiba,封装:S-Mini-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:30@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface M...
2SC5287
2SC5287,晶体管,三极管,TO-3P封装,参数为:Pcm=3500mW,Ic=5000mA,BVcbo=900V,BVceo=550V,BVebo=7V,hfe(Min)=10,hfe(Max)=25,Vce(sat)=0.5V,fr=6+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
KTC4075
KTC4075,贴片晶体管,三极管,SOT-323封装,参数为:Pcm=100mW,Ic=150mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=700,Vce(sat)=0.25V,fr=80MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PDTC143EE,115
PDTC143EE,115,数字晶体管,品牌:NXP,封装:SC-75-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:30@10mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询...
SBC846BDW1T1G
SBC846BDW1T1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SC-88-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:65 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@0.5mA@...
PDTA115TE,115
PDTA115TE,115,数字晶体管,品牌:NXP,封装:SC-75-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询...
RN1105MFV,L3F
RN1105MFV,L3F,功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:VESM-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:80@10mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.5mA@5mA V; 最大集电极基极电压:5...
MPSA05RLRMG
MPSA05RLRMG,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:100@10mA@1V|100@100mA@1V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压...
DS2003TM/NOPB
DS2003TM/NOPB,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOIC-16 N,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:55 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.6@500uA@350mA|1.3@350uA@200mA|1.1@250uA@100m...
UMA4NTR
UMA4NTR,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:UMT-5,参数:配置:Dual; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:...
BD135-16
BD135-16,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-32-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:100@150mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@0.05A@0.5A V; ...
PBSS5330PASX
PBSS5330PASX,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-1061D-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:200@0.5A@2V|175@1A@2V|140@2A@2V|100@3A@2V; 最大集电极发射极饱和电压...
MMBTH10LT1G
MMBTH10LT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:25 V; 最小DC直流电流增益:60@4mA@10V; 最大工作频率:650(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@0.4mA@4mA V; 最大集电极基极电压:30 V...
SD1274-01
SD1274-01,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:Case-4 M-113,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:16 V; 最大DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:20@250mA@5V; 最大集电极基极电压:36 V; 工作温度:-65 to 2...
BD682
BD682,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-32-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:750@1.5A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2.5@30mA@1.5A V; ...
BUJ103A,127
BUJ103A,127,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-220AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:10@1mA@5V|13@500mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.6A@3A V; 最大集电极基极...
MPSA14G
MPSA14G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:30 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:10000@10mA@5V|20000@100mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@0.1mA@100m...
MPSA13G
MPSA13G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:30 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:5000@10mA@5V|10000@100mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@0.1mA@100mA...
PZT3906
PZT3906,贴片晶体管,三极管,SOT-223封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=200mA,BVcbo=40V,BVceo=40V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=300,Vce(sat)=0.4V,fr=250MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562