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BCR198W H6327

BCR198W H6327,数字晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-323-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:70@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mo...

BD679AG

BD679AG,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-225-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:750@2A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2.8@40mA@2A V; 最大集电极基极电压:80 V; 安装方...

55GN01MA-TL-E

55GN01MA-TL-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:MCP-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:10 V; 最大DC直流集电极电流:0.07 A; 最小DC直流电流增益:100@10mA@5V; 最大工作频率:5500(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:20 V; 工作温度:-5...

2STL2580-AP

2STL2580-AP,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-92 Mod-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:60@250mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.2A@1A V; 工...

2SC2230

2SC2230,晶体管,三极管,TO-92MOD封装,参数为:Pcm=800mW,Ic=100mA,BVcbo=200V,BVceo=160V,BVebo=5V,hfe(Min)=120,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.5V,fr=50MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

2N3904-AP

2N3904-AP,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:60@0.1mA@1V|80@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1V|...

PDTA124XMB,315

PDTA124XMB,315,数字晶体管,品牌:NXP,封装:DFN-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价...

UMC5N-7

UMC5N-7,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-353-5,参数:配置:Dual Common Base and Collector; 类型:NPN|PNP; 峰值DC直流集电极电流:30@NPN|100@PNP mA; 最小DC直流电流增益:68@5mA@5V@NPN|30@10mA@5V@PNP; 工...

BFT92W,115

BFT92W,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SC-70-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:15 V; 最大DC直流集电极电流:0.025 A; 最小DC直流电流增益:20@15mA@10V; 最大工作频率:4000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:20 V; 工作温度:-...

2SB1412

2SB1412,贴片晶体管,三极管,TO-252-2L(4R)封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=5000mA,BVcbo=30V,BVceo=20V,BVebo=6V,hfe(Min)=82,hfe(Max)=390,Vce(sat)=1V,fr=120+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-8389...

MCH4014-TL-H

MCH4014-TL-H,功率晶体管,品牌:ON,封装:MCPH-4,参数:询报价及购买请致电:0755-83897562

2SC5200-OQ

2SC5200-OQ,功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:TO-3PL-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:230 V; 最大DC直流集电极电流:15 A; 最小DC直流电流增益:80@1A@5V; 最大工作频率:30(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:3@0.8A@8A V...

2SA1179

2SA1179,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=150mA,BVcbo=55V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=200,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.5V,fr=180+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

BFR181W H6327

BFR181W H6327,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-323-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:0.02 A; 最小DC直流电流增益:70@5mA@8V; 最大工作频率:8000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:20 V;...

STBV45

STBV45,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:0.75 A; 最小DC直流电流增益:12@0.5mA@2V|10@0.2A@5V|5@0.4A@5V; 最大集电极发射极饱和电压...

BCR08PN H6327

BCR08PN H6327,数字晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-363-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:70@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface ...

BCR119WH6327XTSA1

BCR119WH6327XTSA1,数字晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-323-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:120@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surfa...

MMBT4124

MMBT4124,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:25 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:120@2mA@1V|60@50mA@1V; 最大工作频率:300(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和...

2SD1816T-TL-E

2SD1816T-TL-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:TP-FA-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:200@0.5A@5V; 最大工作频率:180(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@0.2A@2A...

RN4987,LF(CT)

RN4987,LF(CT),数字晶体管,品牌:Toshiba,封装:US-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:80@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount....