HN1C01F-GR(TE85L,F)
HN1C01F-GR(TE85L,F),功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:SOT-26-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:120@2mA@6V; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@2mA@0.1A V; 最大...
MMDT2222A-7-F
MMDT2222A-7-F,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-363-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:35@100uA@10V|50@1mA@10V|75@10mA@10V|100@150mA@10V|4...
ULN2004AD
ULN2004AD,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOIC-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@100mA|1.3@200mA|1.6@350mA V; 安装方式:Surface Mount....
MJB45H11T4G
MJB45H11T4G,功率晶体管,品牌:ON,封装:D2PAK-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:60@2A@1V|40@4A@1V; 最大工作频率:40(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.4A@8...
FMMT38CTA
FMMT38CTA,三极管,达林顿管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:60 V; 峰值DC直流集电极电流:0.3 A; 最小DC直流电流增益:5000@100mA@5V|10000@500mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1.25@8m...
DTC123YKAT146
DTC123YKAT146,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:33@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:07...
PBSS4350D,115
PBSS4350D,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TSOP-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:200@500mA@2V|200@1A@2V|100@2A@2V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电...
DDTC143ZUA-7-F
DDTC143ZUA-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-323-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:07...
2SD669
2SD669,晶体管,三极管,TO-126C封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=1500mA,BVcbo=180V,BVceo=120V,BVebo=5V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=320,Vce(sat)=1V,fr=140+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DDTC143FUA-7-F
DDTC143FUA-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-323-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:68@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:07...
BCW60C,235
BCW60C,235,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:32 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:40@10uA@5V|250@2mA@5V|90@50mA@1V; 最大工作频率:250(Typ) MHz; 最...
ZTX601
ZTX601,三极管,达林顿管,品牌:Diodes,封装:E-Line-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:160 V; 峰值DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:1000@50mA@10V|2000@500mA@10V|1000@1A@10V; 最大集电极发射极饱和电压...
DDTA115EE-7-F
DDTA115EE-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-523-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 峰值DC直流集电极电流:20 mA; 最小DC直流电流增益:82@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-...
TPIC44L01DBR
TPIC44L01DBR,4通道串行和并行低侧前置FET驱动器,品牌:TI,封装:SSOP-24,参数:分类:4-Channel Serial and Parallel Low-Side Pre-Fet Driver; 引脚数目:24; 工作温度:-40 to 125 ℃; 所属系列:TPIC44L01; 安装方式:S...
PHPT610035NKX
PHPT610035NKX,功率晶体管,品牌:NXP,封装:LFPAK-56D-8,参数:类型:NPN; 引脚数量:8; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:80@1A@1V|150@500mA@10V|80@1A@10V|20@2A@10V|10@3A@10V;...
MPSA14
MPSA14,达林顿晶体管,由ON原厂生产,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=500mA,BVcbo=30V,BVceo=30V,BVebo=10V,hfe(Min)=20000,Vce(sat)=1.5V,fr=125MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SMUN5335DW1T1G
SMUN5335DW1T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-363-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Moun...
2SC4488T-AN
2SC4488T-AN,功率晶体管,品牌:ON,封装:NMP-3,参数:引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:200@100mA@5V; 最大集电极基极电压:120 V; 最大功率耗散:1000 mW. 询报价及购买请致电:0755-83897562...
ULN2804APG(O,NM)
ULN2804APG(O,NM),三极管,达林顿管,品牌:Toshiba,封装:PDIP-18,参数:配置:Octal Common Emitter; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1...
DDA142TU-7-F
DDA142TU-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-363-6,参数:配置:Dual; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:40 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount....