MJD350-13
MJD350-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:DPAK-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:30@50mA@10V; 最大集电极基极电压:300 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 最大功率耗散:1...
DCP69A-13
DCP69A-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:50@5mA@10V|85@500mA@1V|40@1A@1V; 最大工作频率:250(Typ) MHz; 最大集...
BCP52
BCP52,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:1.2 A; 最小DC直流电流增益:25@5mA@2V|40@150mA@2V|25@500mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@50mA...
TIP131-S
TIP131-S,三极管,达林顿管,品牌:Bourns,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:500@1A@4V|1000@4A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2@16mA@4A|3@30mA@8...
2SB834
2SB834,晶体管,三极管,TO-220-3L封装,参数为:Pcm=1500mW,Ic=3000mA,BVcbo=60V,BVceo=60V,BVebo=7V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=200,Vce(sat)=1V,fr=9+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DSS4160DS-7
DSS4160DS-7,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-26-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:250@1mA@5V|200@500mA@5V|100@1A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:110@1mA@...
TIP127
TIP127,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:1000@0.5A@3V|1000@3A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@12...
PMBS3904,235
PMBS3904,235,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:40@0.1mA@1V|70@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1V|30@100mA@...
2SA1419T-TD-E
2SA1419T-TD-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:PCP-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:160 V; 最大DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:200@100mA@5V; 最大工作频率:120(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@50mA@5...
2SA1774G
2SA1774G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-416-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:120@1mA@6V; 最大工作频率:140(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@5mA@50mA V...
NSVBC124EDXV6T1G
NSVBC124EDXV6T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-563-6,参数:询报价及购买请致电:0755-83897562
FCX1051ATA
FCX1051ATA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-89-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:290@10mA@2V|270@1A@2V|270@3A@2V|130@5A@2V|40@10A@2V; 最大工作...
BFU580QX
BFU580QX,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-89-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:0.06 A; 最小DC直流电流增益:60@30mA@8V; 最大集电极基极电压:24 V; 工作温度:-40 to 150 ℃; 最大功率耗散:1000 ...
MMBT5087LT3G
MMBT5087LT3G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.05 A; 最小DC直流电流增益:250@0.1mA@5V|250@1mA@5V|250@10mA@5V; 最大工作频率:40(Min) MHz;...
MPS4124RLRAG
MPS4124RLRAG,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:25 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:120@2mA@1V|60@50mA@1V; 最大工作频率:170(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0...
MSB92AWT1G
MSB92AWT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SC-70-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:120@1mA@10V|40@10mA@10V|25@30mA@10V; 最大工作频率:50(Min) MHz; 最大...
MJH11017G
MJH11017G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:150 V; 峰值DC直流集电极电流:15 A; 最小DC直流电流增益:100@15A@5V|400@10A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:2.5@100mA@10A|4@15...
PDTB123YT,215
PDTB123YT,215,数字晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:500 mA; 最小DC直流电流增益:70@50mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount...
PDTC143XT,215
PDTC143XT,215,数字晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:50@10mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount...
2SD999
2SD999,贴片晶体管,三极管,SOT-89-3L封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=1000mA,BVcbo=30V,BVceo=25V,BVebo=5V,hfe(Min)=90,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.4V,fr=130+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562