MMBTA64,贴片达林顿晶体管,由ON原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pcm=300mW,Ic=800mA,BVcbo=30V,BVceo=30V,BVebo=10V,hfe(Min)=20000,Vce(sat)=1.5V,fr=125MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2N4920G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-225-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:40@50mA@1V|30@500mA@1V|10@1A@1V; 最大工作频率:3(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压...
NJVMJD41CT4G,功率晶体管,品牌:ON,封装:DPAK-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:6 A; 最小DC直流电流增益:30@0.3A@4V|15@3A@4V; 最大工作频率:3(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@600...
DTA143EM,PNP贴片数字晶体管,由ROHM原厂生产,SOT-723封装,参数为:Pd=100mW,Io=100mA,Vcc=50V,Gi=30,Vo(on)=0.3V,R1=4.7K+欧姆,R2=4.7K+欧姆,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PHE13003C,126,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SPT-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:8@0.5A@2V|5@1A@2V; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@0.1A@0.5A|1@0.25A@1A|...
DDTC123JUA-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-323-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:07...
2SC5706-H,功率晶体管,品牌:ON,封装:TP-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:200@500mA@2V; 最大工作频率:400(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.135@50mA@1A|0.24...
HD1750JL,功率晶体管,品牌:ST Micro,封装:TO-264-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:800 V; 最大DC直流集电极电流:24 A; 最小DC直流电流增益:5.5@12A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:3@3A@12A V; 工作温度:-65 to 150 ℃;...
2SB1260T100P,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:MPT-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:82@0.1A@3V; 最大工作频率:100(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@50mA@500mA...
FJMA790,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:MicroFET-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:35 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:100@1A@1.5V|100@1.5A@1.5V|100@2A@3V|100@500mA@2V; 最大集电极...
PHD13003C,412,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SPT-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:8@0.5A@2V|5@1A@2V; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@0.1A@0.5A|1@0.25A@1A|...
FMG5AT148,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-5,参数:配置:Dual Common Emitter; 类型:NPN; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:68@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及...
FCX658ATA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-89-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:85@1mA@5V|100@10mA@10V|55@100mA@5V|35@200mA@10V; 最大工作频率...
JAN2N2905A,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-39-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:75@0.1mA@10V|100@1mA@10V|100@10mA@10V|100@150mA@10V|50@500@1...
BF483,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=830mW,Ic=100mA,BVcbo=300V,BVceo=250V,BVebo=5V,hfe(Min)=20,hfe(Max)=-,Vce(sat)=0.6V,fr=70MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DTA043ZUBTL,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:SOT-323FL-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount...
NE68119-T1-A,功率晶体管,品牌:NEC,封装:Ultra Super Mini-Mold-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:10 V; 最大DC直流集电极电流:0.065 A; 最小DC直流电流增益:80@7mA@3V; 最大集电极基极电压:20 V; 工作温度:-55 to ...
KTD2058,晶体管,三极管,TO-220-3L封装,参数为:Pcm=2000mW,Ic=3000mA,BVcbo=60V,BVceo=60V,BVebo=7V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=200,Vce(sat)=1V,fr=3+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SA608N,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=150mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=6V,hfe(Min)=160,hfe(Max)=560,Vce(sat)=0.3V,fr=200+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NJVMJB44H11T4G,功率晶体管,品牌:ON,封装:D2PAK-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:60@2A@1V|40@4A@1V; 最大工作频率:50(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.4...
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