SMMBT3906LT3G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:60@0.1mA@1V|80@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1V|30@100mA@1V...
DTA115EEBTL,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:EMT3F-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:82@5mA; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562...
DTC143XKA,NPN贴片数字晶体管,由ROHM原厂生产,SOT-23-3L封装,参数为:Pd=200mW,Io=100mA,Vcc=50V,Gi=30,Vo(on)=0.3V,R1=4.7K+欧姆,R2=10K+欧姆,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BFP840ESDH6327XTSA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-343-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:2.25 V; 最大DC直流集电极电流:0.035 A; 最小DC直流电流增益:150@10mA@1.8V; 最大集电极发射极饱和电压:2.25 V; 最大集...
RN4906,LF,功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:US-6,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:80@10mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.25mA@5mA V; 最大集电极基极电压:50...
PBSS4140T,235,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:300@1mA@5V|300@500mA@5V|200@1A@5V; 最大工作频率:150(Min) MHz;...
BCX5116TA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-89-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:100@150mA@2V; 最大工作频率:150(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@50mA@5...
2SA1419S-TD-H,功率晶体管,品牌:ON,封装:PCP-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:160 V; 最大DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:140@100mA@5V; 最大工作频率:120(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@50mA@5...
KSE210STU,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-126-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:25 V; 最大DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:70@500mA@1V|45@2A@1V|10@5A@2V; 最大工作频率:65(Min) MHz; 最大集电...
BD244C,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-220AB-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:6 A; 最小DC直流电流增益:30@300mA@4V|15@3A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@1A@6A V; 最大集电极基极...
NE664M04-A,功率晶体管,品牌:NEC,封装:Thin-Type Super Mini-Mold-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:5 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:40@100mA@3V; 最大集电极基极电压:13 V; 工作温度:-65 to...
DMB53D0UDW-7,N沟道增强型MOSFETPNP晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-363-6,参数:分类:N-Channel Enhancement Mode MOSFET Plus PNP Transistor; 引脚数目:6; 工作温度:-55 to 150 ℃; 所属系列:DMB53D0UDW; ...
KSP43TA,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:200 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:25@1mA@10V|40@10mA@10V|40@30mA@10V; 最大工作频率:50(Min) MHz;...
2PB709BSL,215,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:290@2mA@10V; 最大工作频率:200(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@1...
2DB1386Q-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-89-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:120@0.5A@2V; 最大工作频率:100(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.1A@4A...
MJH11020G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:200 V; 峰值DC直流集电极电流:15 A; 最小DC直流电流增益:100@15A@5V|400@10A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:2.5@100mA@10A|4@15...
TIP42-S,功率晶体管,品牌:Bourns,封装:TO-220-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:6 A; 最小DC直流电流增益:30@0.3A@4V|15@3A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@0.6A@6A V; 最大集电极基极电压:8...
FMMTA14TA,三极管,达林顿管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:40 V; 峰值DC直流集电极电流:0.3 A; 最小DC直流电流增益:10000@10mA@5V|20000@100mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.9@0.1...
ST13007,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:16@2A@5V|5@5A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.4A@2A|2@1A@5...
2SC4098T106P,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:UMT-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:25 V; 最大DC直流集电极电流:0.05 A; 最小DC直流电流增益:82@1mA@6V; 最大工作频率:300(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@1mA@10mA...
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