BD13616S,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-126-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:100@150mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@50mA@500mA V; 最大集电极基极电压...
MUN5216DW1T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-363-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:160@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询...
FZT949TA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:5.5 A; 最小DC直流电流增益:100@10mA@1V|100@1A@1V|75@5A@1V; 最大工作频率:100(Typ) MHz; 最大集...
FMMT489TA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:100@1mA@2V|100@1A@2V|60@2A@2V|20@4A@2V; 最大工作频率:150(Min) MH...
2SD874,贴片晶体管,三极管,SOT-89-3L封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=1000mA,BVcbo=30V,BVceo=25V,BVebo=5V,hfe(Min)=85,hfe(Max)=340,Vce(sat)=0.4V,fr=200+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
A94,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=200mA,BVcbo=400V,BVceo=400V,BVebo=5V,hfe(Min)=80,hfe(Max)=300,Vce(sat)=0.3V,fr=50MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FJP3305H1TU,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-220-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:19@1A@5V; 最大工作频率:4(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@0.2A@1...
TIP100-S,三极管,达林顿管,品牌:Bourns,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:60 V; 峰值DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:1000@3A@4V|200@8A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2@6mA@3A|2.5@80mA@...
IMT17T110,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:120@100mA@3V; 最大工作频率:200(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.6@50mA@500m...
FMMT495TC,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:150 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:100@1mA@10V|100@250mA@10V|50@500mA@10V|10@1A@10V; 最大工作频率:...
RN1405,LF,数字晶体管,品牌:Toshiba,封装:S-Mini-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. ...
2SC4097,贴片晶体管,三极管,SOT-323封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=500mA,BVcbo=40V,BVceo=32V,BVebo=5V,hfe(Min)=82,hfe(Max)=390,Vce(sat)=0.4V,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
KSP94TA,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:0.3 A; 最小DC直流电流增益:40@1mA@10V|50@10mA@10V|45@50mA@10V|40@100mA@10V; 最大集电极发...
STX616,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:500 V; 最大DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:17@500uA@2V|25@200mA@5V|12@500mA@5V|4@1.5A@5V; ...
BC857,215,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:125@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.5mA@1...
MMBTA13LT1G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:30 V; 峰值DC直流集电极电流:0.3 A; 最小DC直流电流增益:5000@10mA@5V|10000@100mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@0.1mA@...
2SA1160,晶体管,三极管,TO-92L封装,参数为:Pcm=900mW,Ic=2000mA,BVcbo=20V,BVceo=10V,BVebo=6V,hfe(Min)=140,hfe(Max)=600,Vce(sat)=0.5V,fr=140+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ZTX690BSTZ,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:E-Line-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:500@100mA@2V|400@1A@2V|150@2A@2V; 最大工作频率:150(Min) MHz; 最大...
FZT1049ATA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:25 V; 最大DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:280@10mA@2V|300@500mA@2V|300@1A@2V|180@5A@2V|40@20A@2V; ...
2SD2114,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=250mW,Ic=500mA,BVcbo=25V,BVceo=20V,BVebo=12V,hfe(Min)=820,hfe(Max)=2700,Vce(sat)=0.4V,fr=350+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
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