2SD1781
2SD1781,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=800mA,BVcbo=40V,BVceo=32V,BVebo=5V,hfe(Min)=120,hfe(Max)=390,Vce(sat)=0.4V,fr=150+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PN2907ATF
PN2907ATF,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:0.8 A; 最小DC直流电流增益:75@0.1mA@10V|100@1mA@10V|100@10mA@10V|100@150mA@10V|50...
DTA143ESATP
DTA143ESATP,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:SPT-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:30@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8389756...
MMBT4403
MMBT4403,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=300mW,Ic=600mA,BVcbo=40V,BVceo=40V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=300,Vce(sat)=0.4V,fr=200MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBT2369ALT1G
MMBT2369ALT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:15 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:40@10mA@0.35V|30@30mA@0.4V|20@100mA@1V; 最大集电极发射极饱和电压:0.2...
BC858AWT1G
BC858AWT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SC-70-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:125@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.5mA@10mA...
SBC848BLT1G
SBC848BLT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@0.5mA@1...
MMSTA05-7-F
MMSTA05-7-F,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-323-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:100@10mA@1V|100@100mA@1V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发...
EMA4T2R
EMA4T2R,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:EMT-5,参数:配置:Dual Common Emitter; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mo...
PBSS2515M,315
PBSS2515M,315,功率晶体管,品牌:NXP,封装:DFN-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:15 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:200@10mA@2V|150@100mA@2V|90@500mA@2V; 最大工作频率:420(Typ) MHz;...
MPSA17
MPSA17,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=300mW,Ic=100mA,BVceo=40V,BVebo=12V,hfe(Min)=200,hfe(Max)=800,Vce(sat)=0.25V,fr=80MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
KSC5502TU
KSC5502TU,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-220AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:15@0.2A@1V|4@1A@1V|12@0.5A@2.5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.8@0....
BFG540,215
BFG540,215,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-143B-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:15 V; 最大DC直流集电极电流:0.12 A; 最小DC直流电流增益:60@40mA@8V; 最大工作频率:9000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:20 V; 工作温度:...
PBSS5160PAP,115
PBSS5160PAP,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:DFN2020-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:170@100mA@2V|120@500mA@2V|70@1A@2V; 最大集电极发射极饱和电压:0.18@...
BD237
BD237,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-32-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:40@150mA@2V|25@1A@2V; 最大工作频率:3(Min) MHz; 最大集电极发射极饱...
BD438STU
BD438STU,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-126-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:30@10mA@5V|85@500mA@1V|40@2A@1V; 最大工作频率:3(Min) MHz; 最大集电...
2SC3149M
2SC3149M,晶体管,三极管,TO-126封装,参数为:Pcm=1250mW,Ic=600mA,BVcbo=1200V,BVceo=800V,BVebo=7V,hfe(Min)=24,hfe(Max)=35,Vce(sat)=1V,fr=15+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2DD2679-13
2DD2679-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-89-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:270@200mA@2V; 最大工作频率:240(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.37@75mA...
BC817UPNE6327HTSA1
BC817UPNE6327HTSA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SC-74-6,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:160@100mA@1V|100@300mA@1V; 最大工作频率:170(Typ)...
2SA1084
2SA1084,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=400mW,Ic=100mA,BVcbo=90V,BVceo=90V,BVebo=5V,hfe(Min)=250,hfe(Max)=800,Vce(sat)=0.2V,fr=90+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562