BF620
BF620,贴片晶体管,三极管,SOT-89-3L封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=50mA,BVcbo=300V,BVceo=300V,BVebo=5V,hfe(Min)=50,hfe(Max)=-,Vce(sat)=0.6V,fr=60MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MJF45H11G
MJF45H11G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-220-3 Full-Pak,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:60@2A@1V|40@4A@1V; 最大工作频率:40(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:...
MMBT2222ALP4-7B
MMBT2222ALP4-7B,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:DFN-3 EP,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:35@0.1mA@10V|50@1mA@10V|75@10mA@10V|100@150mA@10V|...
NSS40300MZ4T1G
NSS40300MZ4T1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:200@0.5A@1V|175@1A@1V|100@3A@1V; 最大工作频率:160(Typ) MHz; 最大...
BC54PA,115
BC54PA,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:HUSON-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:63@5mA@2V|63@150mA@2V|40@500mA@2V; 最大工作频率:180(Typ) MHz; 最大集电极...
NE68019-A
NE68019-A,功率晶体管,品牌:NEC,封装:Ultra Super Mini-Mold-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:10 V; 最大DC直流集电极电流:0.035 A; 最小DC直流电流增益:80@5mA@3V; 最大集电极基极电压:20 V; 工作温度:-65 to 150...
NSBC115TDP6T5G
NSBC115TDP6T5G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-963-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:160@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. ...
BC558
BC558,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=100mA,BVcbo=30V,BVceo=30V,BVebo=5V,hfe(Min)=120,hfe(Max)=800,Vce(sat)=0.65V,fr=150+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SMUN5131DW1T1G
SMUN5131DW1T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-363-6,参数:配置:Dual; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:8@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实...
EMG6T2R
EMG6T2R,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:EMT-5,参数:配置:Dual Common Emitter; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mo...
BC856,215
BC856,215,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:65 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:125@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.5mA@1...
BC639RL1G
BC639RL1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:25@5mA@2V|40@150mA@2V|25@500mA@2V; 最大工作频率:200(Typ) MHz; 最大集电极发射...
2SB562
2SB562,晶体管,三极管,TO-92L封装,参数为:Pcm=750mW,Ic=1000mA,BVcbo=25V,BVceo=20V,BVebo=5V,hfe(Min)=85,hfe(Max)=240,Vce(sat)=0.5V,fr=350+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
CPH5905H-TL-E
CPH5905H-TL-E,NPN外延硅晶体管和N沟道硅结场效应晶体管,品牌:ON,封装:CPH-5,参数:分类:NPN Epitaxial Silicon Transistor and N-Channel Silicon Junction Field Effect Transistor; 引脚数目:5; 工作温度:-...
DTA123YUAT106
DTA123YUAT106,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:UMT-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:33@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:07...
BC856BDW1T1G
BC856BDW1T1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SC-88-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:65 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:220@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.5mA@10...
KSA931
KSA931,晶体管,三极管,TO-92MOD封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=700mA,BVcbo=80V,BVceo=60V,BVebo=8V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=320,Vce(sat)=0.7V,fr=100+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BFR181W H6327
BFR181W H6327,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-323-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:0.02 A; 最小DC直流电流增益:70@5mA@8V; 最大工作频率:8000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:20 V;...
MUN5333DW1T1G
MUN5333DW1T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-363-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount...
DDA114EK-7-F
DDA114EK-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-26-6,参数:配置:Dual; 类型:PNP; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:30@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-838...