DVR2V5W-7
DVR2V5W-7,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-363-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:18 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:150@100mA@1V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@30mA@...
NSBA115TDP6T5G
NSBA115TDP6T5G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-963-6,参数:配置:Dual; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:160@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. ...
2SC5488-TL-E
2SC5488-TL-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:SSFP-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:10 V; 最大DC直流集电极电流:0.07 A; 最小DC直流电流增益:90@20mA@5V; 最大集电极基极电压:20 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 最大功率耗散:100 ...
NE85634-T1-RE-A
NE85634-T1-RE-A,功率晶体管,品牌:NEC,封装:Power Mini-Mold-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:50@20mA@10V; 最大集电极基极电压:20 V; 工作温度:-65 to 150...
BU508A
BU508A,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-218-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:700 V; 最大DC直流集电极电流:8 A; 最大工作频率:7(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1@2A@4.5A V; 工作温度:-65 to 15...
HFA3135IHZ96
HFA3135IHZ96,功率晶体管,品牌:Intersil,封装:SOT-23-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:11 V; 最大DC直流集电极电流:0.026 A; 最小DC直流电流增益:15@10mA@2V|151mA@2V|150.1mA@2V|1510mA@5V|151mA@5V...
CPH5901F-TL-E
CPH5901F-TL-E,NPN外延硅晶体管和N沟道硅结场效应晶体管,品牌:ON,封装:CPH-5,参数:分类:NPN Epitaxial Silicon Transistor and N-Channel Silicon Junction Field Effect Transistor; 引脚数目:5; 工作温度:-...
DDC114TK-7-F
DDC114TK-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-26-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. ...
START499TR
START499TR,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-343-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:4.5 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:160(Typ)@160mA@4V; 最大工作频率:42000 MHz; 最大集电...
2SB1201T-TL-E
2SB1201T-TL-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:TP-FA-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:200@100mA@2V; 最大工作频率:150(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.7@50mA@1A...
LMBT3904LT1G
LMBT3904LT1G,功率晶体管,品牌:LESHAN(LRC),封装:Trans,参数:类型:NPN; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:40@0.1mA@1V|70@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1V|30@100mA@1V; 最...
NZT6714
NZT6714,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:55@10mA@1V|60@100mA@1V|50@1A@1V; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@100mA@...
DZT651-13
DZT651-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:70@50mA@2V|100@500mA@2V|80@1A@2V|40@2A@2V; 最大工作频率:200(Typ...
DTC114EUBTL
DTC114EUBTL,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:UMT3F-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:30@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897...
STD616A-1
STD616A-1,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-251-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:450 V; 最大DC直流集电极电流:1.6 A; 最小DC直流电流增益:17@200uA@5V|25@300mA@5V|12@480mA@5V|4@1.6A@...
RN1102MFV(TPL3)
RN1102MFV(TPL3),数字晶体管,品牌:Toshiba,封装:VESM-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:50@10mA@5V; 工作温度:N/A to 150 ℃; 安装方式:Surface Mou...
2SB1690TL
2SB1690TL,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:TSMT-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:270@200mA@2V; 最大工作频率:360(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.18@50mA@1A V...
FJD3305H1TM
FJD3305H1TM,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:DPAK-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:19@1A@5V|8@2A@5V; 最大工作频率:4(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@...
STBV68
STBV68,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:7@100mA@5V|3@250mA@10V; 最大集电极发射极饱和电压:0.75@20mA@...
2N3904TA
2N3904TA,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:40@0.1mA@1V|70@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1V|30@100mA@1...