NSV20201LT1G
NSV20201LT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:200@10mA@2V|200@500mA@2V|200@1A@2V|200@2A@2V; 最大集电极发射极饱和电压:...
BC846B-7-F
BC846B-7-F,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:65 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:300(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@0.5m...
BUL39D
BUL39D,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:450 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:4@5A@10V|10@10mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@0.2A@1A|1....
PBHV8115X,115
PBHV8115X,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-89-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:150 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:100@50mA@10V|100@100mA@10V|50@0.5A@10V|10@1A@10V; 最大集电极发...
NE68030-T1-R45-A
NE68030-T1-R45-A,功率晶体管,品牌:NEC,封装:SOT-323-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:10 V; 最大DC直流集电极电流:0.035 A; 最小DC直流电流增益:50@5mA@3V; 最大集电极基极电压:20 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 最大功...
MMBT2907A_D87Z
MMBT2907A_D87Z,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:0.8 A; 最小DC直流电流增益:75@0.1mA@10V|100@1mA@10V|100@10mA@10V|100@150mA@...
DCX69-25-13
DCX69-25-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-89-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:50@5mA@10V|60@1A@1V|160@500mA@1V; 最大工作频率:200(Typ) MHz; 最...
PZT2222AT3G
PZT2222AT3G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:35@0.1mA@10V|50@1mA@10V|70@10mA@10V|100@150mA@10V|50@150m...
KTD1898
KTD1898,贴片晶体管,三极管,SOT-89-3L封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=1000mA,BVcbo=100V,BVceo=80V,BVebo=5V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.4V,fr=100+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-838975...
MPS751
MPS751,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=2000mA,BVcbo=80V,BVceo=60V,BVebo=5V,hfe(Min)=75,hfe(Max)=-,Vce(sat)=0.5V,fr=75MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PMBT2222,215
PMBT2222,215,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:35@0.1mA@10V|50@1mA@10V|75@10mA@10V|100@150mA@10V|50@1...
BSR18A
BSR18A,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:60@0.1mA@1V|80@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1V|30@100mA@1V...
2SC2881-Y(T2LSUM,F)
2SC2881-Y(T2LSUM,F),功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:PW-Mini-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:120 V; 最大DC直流集电极电流:0.8 A; 最小DC直流电流增益:120@100mA@5V; 最大工作频率:120(Typ) MHz; 最大集电极发射极...
RN2110(TE85L,F)
RN2110(TE85L,F),数字晶体管,品牌:Toshiba,封装:SSM-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:120@1mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Moun...
DDC124EK-7-F
DDC124EK-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-26-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:56@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-838...
SMBT3904 E6327
SMBT3904 E6327,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:40@100uA@1V|70@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1V|30@1...
BC638
BC638,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=830mW,Ic=1000mA,BVcbo=60V,BVceo=60V,BVebo=5V,hfe(Min)=63,hfe(Max)=250,Vce(sat)=0.5V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DPLS325E-13
DPLS325E-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:25 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:300@10mA@2V|250@1A@2V|200@2A@2V|100@6A@2V; 最大工作频率:100(M...
DTA115TCA
DTA115TCA,PNP贴片数字晶体管,由ROHM原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=200mW,Io=100mA,Vcc=50V,Gi=100,Vo(on)=0.3V,R1=100K+欧姆,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BC869,115
BC869,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-89-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:50@5mA@10V|85@500mA@1V|60@1A@1V|40@2A@1V; 最大工作频率:140(Typ) MHz...