BFP640FH6327XTSA1
BFP640FH6327XTSA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:TSFP-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:4 V; 最大DC直流集电极电流:0.05 A; 最小DC直流电流增益:110@30mA@3V; 最大工作频率:40000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:13...
EMX26T2R
EMX26T2R,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:EMT-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:820@1mA@5V; 最大工作频率:250(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@5mA@50mA V;...
BC337-25RL1G
BC337-25RL1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.8 A; 最小DC直流电流增益:160@100mA@1V|60@300mA@1V; 最大工作频率:210(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电...
PDTD123YUX
PDTD123YUX,数字晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-323-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:500 mA; 最小DC直流电流增益:70@50mA@5V; 工作温度:-55 to 175 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报...
CZT31C
CZT31C,贴片晶体管,三极管,SOT-223封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=3000mA,BVcbo=100V,BVceo=100V,BVebo=5V,hfe(Min)=10,hfe(Max)=100,Vce(sat)=1.2V,fr=3MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BC850B,215
BC850B,215,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@0.5mA...
MJD44H11RLG
MJD44H11RLG,功率晶体管,品牌:ON,封装:DPAK-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:60@2A@1V|40@4A@1V; 最大工作频率:85(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.4A@8A ...
2SA2125-TD-H
2SA2125-TD-H,功率晶体管,品牌:ON,封装:PCP-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:200@100mA@2V; 最大工作频率:390(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.23@50mA@1A|0...
2N6052G
2N6052G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-204-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:12 A; 最小DC直流电流增益:750@6A@3V|100@12A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@24mA@6A|3@120mA@12A...
A1015
A1015,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=150mA,BVcbo=50V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=130,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.3V,fr=80MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BU406G
BU406G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-220AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:200 V; 最大DC直流集电极电流:7 A; 最大工作频率:10(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.5A@5A V; 最大集电极基极电压:400 V; 工作温度:-65 t...
ULN2002AN
ULN2002AN,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:PDIP-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@100mA|1.3@200mA|1.6@350mA V; 安装方式:Through Hole. ...
2SA1664
2SA1664,贴片晶体管,三极管,SOT-89-3L封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=800mA,BVcbo=35V,BVceo=30V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=320,Vce(sat)=0.7V,fr=120+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-8389756...
SMMBTA14LT3G
SMMBTA14LT3G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:30 V; 峰值DC直流集电极电流:0.3 A; 最小DC直流电流增益:10000@10mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@0.1mA@100mA V; 最大集电...
MMUN2214LT1G
MMUN2214LT1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存...
ULN2001A
ULN2001A,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:PDIP-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@250uA@1...
BC558
BC558,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=100mA,BVcbo=30V,BVceo=30V,BVebo=5V,hfe(Min)=120,hfe(Max)=800,Vce(sat)=0.65V,fr=150+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FJV3102RMTF
FJV3102RMTF,数字晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:30@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Moun...
BULB49DT4
BULB49DT4,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:D2PAK-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:450 V; 最大DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:10@10mA@5V|10@500mA@5V|4@7A@10V; 最大集电极发射极饱和电压:...
IMD2AT108
IMD2AT108,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:56@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-...