US6X7TR,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:TUMT-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:270@200mA@2V; 最大工作频率:400(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.2@25mA@500mA...
ZTX455STZ,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:E-Line-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:140 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:100@150mA@10V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.7@15mA...
ULN2801A,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:PDIP-18,参数:配置:Octal Common Emitter; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电...
BD678AS,三极管,达林顿管,品牌:Fairchild,封装:TO-126-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:60 V; 峰值DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:750@2A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2.8@40mA@2A V; 最大集电极基极电压:60...
NSVBT2222ADW1T1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-363-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:35@0.1mA@10V|50@1mA@10V|75@10mA@10V|100@150mA@10V|50...
2SA1615,晶体管,三极管,TO-251-3L封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=10000mA,BVcbo=30V,BVceo=20V,BVebo=10V,hfe(Min)=200,hfe(Max)=600,Vce(sat)=0.25V,fr=180+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-8389...
2SB1202,晶体管,三极管,TO-251-3L封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=3000mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=6V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=560,Vce(sat)=0.7V,fr=150+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-8389756...
2N6388G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:1000@5A@3V|100@10A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@0.01A@5A|3@0.1A@1...
2SA1552S-TL-H,功率晶体管,品牌:ON,封装:TP-FA-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:160 V; 最大DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:140@100mA@5V; 最大工作频率:120(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@50mA...
HM879,贴片晶体管,三极管,SOT-89-3L封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=3000mA,BVcbo=30V,BVceo=10V,BVebo=6V,hfe(Min)=140,hfe(Max)=-,Vce(sat)=0.4V,fr=200+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
3DA5200B,晶体管,三极管,TO-3P封装,参数为:Pcm=3000mW,Ic=15000mA,BVcbo=160V,BVceo=160V,BVebo=5V,hfe(Min)=55,hfe(Max)=160,Vce(sat)=3V,fr=30+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BFR93A E6327,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:0.09 A; 最小DC直流电流增益:70@30mA@8V; 最大工作频率:6000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:20 V; ...
SMBT3904PNH6327,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-363-6,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:40@100uA@1V|70@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1...
BC857W,贴片晶体管,三极管,SOT-323封装,参数为:Pcm=150mW,Ic=100mA,BVcbo=50V,BVceo=45V,BVebo=5V,hfe(Min)=125,hfe(Max)=800,Vce(sat)=0.65V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
KTA1267,晶体管,三极管,TO-92S封装,参数为:Pcm=400mW,Ic=150mA,BVcbo=50V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.3V,fr=80MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
JAN2N3764,功率晶体管,品牌:Microsemi,封装:TO-46-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:35@10mA@1V|40@150mA@1V|40@500mA@1V|30@1A@1.5V|30@1.5A@...
BFR92AR-GS08,功率晶体管,品牌:Vishay,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:15 V; 最大DC直流集电极电流:0.03 A; 最小DC直流电流增益:65@14mA@10V; 最大工作频率:6000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:20 V; 工...
BFG520/XR,235,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-143R-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:15 V; 最大DC直流集电极电流:0.07 A; 最小DC直流电流增益:60@20mA@6V; 最大工作频率:9000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:20 V; 工作...
PUMB10,115,数字晶体管,品牌:NXP,封装:TSSOP-6,参数:配置:Dual; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@10mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购...
DTC113ZVA,NPN数字晶体管,由ROHM原厂生产,TO-92封装,参数为:Pd=625mW,Io=100mA,Vcc=50V,Gi=33,Vo(on)=0.3V,R1=1K+欧姆,R2=10K+欧姆,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
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