BC337-25ZL1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.8 A; 最小DC直流电流增益:160@100mA@1V|60@300mA@1V; 最大工作频率:210(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电...
PDTC114EU,135,数字晶体管,品牌:NXP,封装:SC-70-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:30@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报...
2SB1002CJTL-E,功率晶体管,品牌:Renesas,封装:UPAK-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:160@0.1A@2V; 最大工作频率:150(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.6@0.1A...
BCW89,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:120@2mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.5mA@10mA V; 工作温度:-55 to 15...
PUMD9,165,数字晶体管,品牌:NXP,封装:TSSOP-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价...
BULB49DT4,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:D2PAK-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:450 V; 最大DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:10@10mA@5V|10@500mA@5V|4@7A@10V; 最大集电极发射极饱和电压:...
2STR1215,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:15 V; 最大DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:200@50mA@2V|200@0.5A@2V|130@1A@2V|80@2A@2V; 最...
MMUN2115LT1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:160@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询...
5962-8777801XA,功率晶体管,品牌:TI,封装:TO-39-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:42 V; 最大集电极基极电压:42 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
MPSA06RA,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:100@10mA@1V|100@100mA@1V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极...
2SD874,贴片晶体管,三极管,SOT-89-3L封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=1000mA,BVcbo=30V,BVceo=25V,BVebo=5V,hfe(Min)=85,hfe(Max)=340,Vce(sat)=0.4V,fr=200+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
UMC2NT1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SC-70-5,参数:配置:Dual Common Base and Collector; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:60@5mA@10V; 工作温度:-65 to 150 ℃;...
FMMT493TC,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:100@1mA@10V|100@250mA@10V|60@500mA@10V|20@1A@10V; 最大工作频率:...
NSVMMBT5088LT3G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:0.05 A; 最小DC直流电流增益:300@100uA@5V|350@1mA@5V|300@10mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.5...
2SB834,晶体管,三极管,TO-220F封装,参数为:Pcm=1500mW,Ic=3000mA,BVcbo=60V,BVceo=60V,BVebo=7V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=200,Vce(sat)=1V,fr=9+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NSBA144WDP6T5G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-963-6,参数:配置:Dual; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询...
DDTC115GCA-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:82@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Moun...
2SD2118,晶体管,三极管,TO-251-3L封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=5000mA,BVcbo=50V,BVceo=20V,BVebo=6V,hfe(Min)=120,hfe(Max)=390,Vce(sat)=1V,fr=150+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
RN1402(T5L,F,T),数字晶体管,品牌:Toshiba,封装:S-Mini-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:50@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface M...
2SB1197KT146R,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:32 V; 最大DC直流集电极电流:0.8 A; 最小DC直流电流增益:180@100mA@3V; 最大工作频率:200(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@50mA@...
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