BC808
BC808,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=300mW,Ic=800mA,BVcbo=30V,BVceo=25V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=630,Vce(sat)=0.7V,fr=100+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DDTB113EC-7-F
DDTB113EC-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 峰值DC直流集电极电流:500 mA; 最小DC直流电流增益:33@50mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755...
PMBTA44,215
PMBTA44,215,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:0.3 A; 最小DC直流电流增益:50@10mA@10V|45@50mA@10V|40@100mA@10V; 最大工作频率:20(Min) M...
2SD1802S-E
2SD1802S-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:TP-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:140@100mA@2V; 最大工作频率:150(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.0005@100mA@2A V...
FMBA14
FMBA14,三极管,达林顿管,品牌:Fairchild,封装:SuperSOT-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:30 V; 峰值DC直流集电极电流:1.2 A; 最小DC直流电流增益:10000@10mA@5V|20000@100mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@0.1...
SDTC124EET1G
SDTC124EET1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-416-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:60@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询...
MUN5131T1G
MUN5131T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SC-70-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:8@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买...
DTA144VKAT146
DTA144VKAT146,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:33@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897...
2DD2661-13
2DD2661-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-89-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:270@200mA@2V; 最大工作频率:170(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.18@50mA...
BC846BLT1G
BC846BLT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:65 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@0.5mA@10...
KTA1241
KTA1241,晶体管,三极管,TO-92L封装,参数为:Pcm=900mW,Ic=5000mA,BVcbo=35V,BVceo=20V,BVebo=8V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=320,Vce(sat)=0.5V,fr=170+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SA2040-E
2SA2040-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:TP-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:200@500mA@2V; 最大工作频率:290(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.39@175mA@3.5A|0....
NSS20201LT1G
NSS20201LT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:200@10mA@2V|200@500mA@2V|200@1A@2V|200@2A@2V; 最大工作频率:150(Mi...
PMBT2222,235
PMBT2222,235,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:35@0.1mA@10V|50@1mA@10V|75@10mA@10V|100@150mA@10V|50@1...
MJD112T4G
MJD112T4G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:500@0.5A@3V|1000@2A@3V|200@4A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@8mA@2A|3...
HN4C06J
HN4C06J,功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:SMV-5,参数:类型:NPN; 引脚数量:5; 最大集电极发射极电压:120 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最大工作频率:100(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@1mA@10mA V; 最大集电极基极电压:120 V; 工作温...
2SD1616
2SD1616,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=750mW,Ic=1000mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=6V,hfe(Min)=135,hfe(Max)=600,Vce(sat)=0.3V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DRA5124E0L
DRA5124E0L,数字晶体管,品牌:Panasonic,封装:SMini3-F2-B-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:60@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface...
2SB892
2SB892,晶体管,三极管,TO-92L封装,参数为:Pcm=750mW,Ic=2000mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=6V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=560,Vce(sat)=0.4V,fr=150+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMST4403-7-F
MMST4403-7-F,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-323-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:30@0.1mA@1V|60@1mA@1V|100@10mA@1V|100@150mA@2V|20@50...