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TIP29C

TIP29C,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:40@0.2A@4V|15@1A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:0.7@125mA@1A V...

PHPT60606NYX

PHPT60606NYX,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-669-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:6 A; 最小DC直流电流增益:240@500mA@2V|210@1A@2V|100@3A@2V|40@6A@2V; 最大集电极发射极饱和电压:0...

DTC043EEBTL

DTC043EEBTL,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:SOT-416FL-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:20@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount...

BD240B-S

BD240B-S,功率晶体管,品牌:Bourns,封装:TO-220-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:40@0.2A@4V|15@1A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:0.7@0.2A@1A V; 工作温度:-65 t...

NJV4030PT1G

NJV4030PT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:220@0.5A@1V|200@1A@1V|100@3A@1V; 最大集电极发射极饱和电压:0.15@5mA@0.5A...

MMBTA28

MMBTA28,贴片达林顿晶体管,由ON原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=500mA,BVcbo=80V,BVceo=80V,BVebo=12V,hfe(Min)=10000,Vce(sat)=1.2V,fr=125MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

BCV62BE6327HTSA1

BCV62BE6327HTSA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-143-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:100@1mA@10V|220@2mA@5V; 最大工作频率:250(Typ) MHz; 最...

ZXT12N20DXTA

ZXT12N20DXTA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:MSOP-8,参数:类型:NPN; 引脚数量:8; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:3.5 A; 最小DC直流电流增益:250@10mA@2V|300@1A@2V|200@3.5A@2V|40@10A@2V; 最大工作频率:112...

BCX5110TA

BCX5110TA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-89-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:25@5mA@2V|40@150mA@2V|25@500mA@2V|63@150mA@2V; 最大工作频率:150(...

DRDP006W-7

DRDP006W-7,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-363-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:100@150mA@10V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@1...

ULN2003AIPWG4

ULN2003AIPWG4,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:TSSOP-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@100mA|1.3@200mA|1.6@350mA V; 安装方式:Surface M...

MUN5132DW1T1G

MUN5132DW1T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-363-6,参数:配置:Dual; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:15@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价...

SOC2920AHRB

SOC2920AHRB,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:CLCC-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:0.03 A; 最小DC直流电流增益:150@10uA@5V|225@0.1mA@5V|300@1mA@5V; 最大工作频率...

BC848CDW1T1

BC848CDW1T1,功率晶体管,品牌:ON,封装:SC-88-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:420@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@0.5mA@10...

BCX70JE6327HTSA1

BCX70JE6327HTSA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:40@10uA@5V|250@2mA@5V|90@50mA@1V; 最大工作频率:250(Ty...

BC848C E6327

BC848C E6327,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:420@2mA@5V; 最大工作频率:250(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@...

DTA043TMT2L

DTA043TMT2L,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:SOT-723-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount....

DNLS350E-13

DNLS350E-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:200@0.5A@2V|200@1A@2V|100@2A@2V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最...

DCX143TK-7-F

DCX143TK-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SC-74R-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mou...

PMC85XP,115

PMC85XP,115,P沟道MOSFET具有偏置NPN晶体管,品牌:NXP,封装:HUSON-6 EP,参数:分类:P-Channel MOSFET with Biased NPN transistor; 引脚数目:6; 工作温度:-65 to 150 ℃; 所属系列:PMC85XP; 安装方式:Surface Mo...