BCX54-16,115
BCX54-16,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-89-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:100@150mA@2V; 最大工作频率:180(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@50mA@5...
HN1B01FU-GR,LF
HN1B01FU-GR,LF,功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:US-6,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:120@2mA@6V; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@10mA@100mA@NPN|0.3@...
3DA5200A
3DA5200A,晶体管,三极管,TO-3P封装,参数为:Pcm=3000mW,Ic=15000mA,BVcbo=200V,BVceo=200V,BVebo=5V,hfe(Min)=55,hfe(Max)=160,Vce(sat)=3V,fr=30+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BD438
BD438,晶体管,三极管,TO-126封装,参数为:Pcm=1250mW,Ic=4000mA,BVcbo=45V,BVceo=45V,BVebo=5V,hfe(Min)=85,hfe(Max)=375,Vce(sat)=0.7V,fr=3MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BC846A,235
BC846A,235,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:65 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:110@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.2@0.5mA@...
TIP142
TIP142,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:1000@5A@4V|500@10A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2@10m...
DXT2907A-13
DXT2907A-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-89-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:75@100uA@10V|100@1mA@10V|100@10mA@10V|100@150mA@10V|50...
ZTX749A
ZTX749A,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-226-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:35 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:70@50mA@2V|100@1A@2V|75@2A@2V|15@6A@2V; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@...
DXTP03200BP5-13
DXTP03200BP5-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:PowerDI 5-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:200 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:100@10mA@5V|100@1A@5V|20@2A@5V; 最大工作频率:105(Typ) ...
BCR35PNE6327
BCR35PNE6327,数字晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-363-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:70@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface M...
PBSS4440D,115
PBSS4440D,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TSOP-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:300@0.5A@2V|300@1A@2V|250@2A@2V|100@4A@2V|50@6A@2V; 最大工作频率:...
2SA1774T1G
2SA1774T1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-416-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:120@1mA@6V; 最大工作频率:140(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@5mA@50mA...
SMMBT3906LT1G
SMMBT3906LT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:60@0.1mA@1V|80@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1V|30@100mA@1V...
SMMBT2369ALT1G
SMMBT2369ALT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:15 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:40@10mA@0.35V|30@30mA@0.4V|20@100mA@1V; 最大集电极发射极饱和电压:0....
HFA3101BZ96
HFA3101BZ96,功率晶体管,品牌:Intersil,封装:SOIC-8 N,参数:类型:NPN; 引脚数量:8; 最大集电极发射极电压:8 V; 最大DC直流集电极电流:0.03 A; 最小DC直流电流增益:40@10mA@3V; 最大工作频率:10000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:12 V; 工...
RN1313(TE85L,F)
RN1313(TE85L,F),数字晶体管,品牌:Toshiba,封装:USM-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:120@1mA@5V; 工作温度:-55 to 125 ℃; 安装方式:Surface Moun...
DMMT3906W-7-F
DMMT3906W-7-F,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-363-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:60@100uA@1V|80@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1V|30@100...
BC847QASX
BC847QASX,功率晶体管,品牌:NXP,封装:DFN-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.1@0.5mA@10mA|0.3@5mA@100mA V; 最大集电极...
2SB649A
2SB649A,晶体管,三极管,TO-126C封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=1500mA,BVcbo=180V,BVceo=160V,BVebo=5V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=200,Vce(sat)=1V,fr=140+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PMP5501Y,135
PMP5501Y,135,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TSSOP-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:175(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.2@0.5mA@1...