MMBT2222AM3T5G
MMBT2222AM3T5G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-723-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:35@0.1mA@10V|50@1mA@10V|75@10mA@10V|100@150mA@10V|50@1...
DN0150BDJ-7
DN0150BDJ-7,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-963-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@6V; 最大工作频率:60(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@10m...
FW26025A1
FW26025A1,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-3P,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:20 A; 最小DC直流电流增益:5000@2A@3V|750@10A@3V|200@30A@3V; 最大集电极发射...
ULN2003APWR
ULN2003APWR,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:TSSOP-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@100mA|1.3@200mA|1.6@350mA V; 安装方式:Surface Mou...
KTC3194
KTC3194,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=20mA,BVcbo=40V,BVceo=30V,BVebo=4V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=200,fr=550+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMST6428T146
MMST6428T146,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:250@0.01mA@5V|250@0.1mA@5V|250@1mA@5V|250@10mA@5V; 最大工作频率:...
CPH3122-TL-E
CPH3122-TL-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:CPH-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最小DC直流电流增益:200@500mA@2V; 最大集电极基极电压:30 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 最大功率耗散:900 mW. 询报价及购买请致电:0755-...
DDTB123EU-7-F
DDTB123EU-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-323-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 峰值DC直流集电极电流:500 mA; 最小DC直流电流增益:39@50mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:075...
PBSS4021NZ,115
PBSS4021NZ,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:300@500mA@2V|300@1A@2V|300@2A@2V|250@4A@2V|250@8A@2V; 最...
BU941ZPFI
BU941ZPFI,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-3PF-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:350 V; 峰值DC直流集电极电流:15 A; 最小DC直流电流增益:300@5A@10V; 最大集电极发射极饱和电压:1.8@100mA@8A|...
2N3906
2N3906,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-92-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:60@0.1mA@1V|80@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1V|30@...
ZTX796A
ZTX796A,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:E-Line-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:200 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:300@10mA@10V|300@100mA@10V|250@300mA@10V|100@400mA@10V; 最...
2N5550
2N5550,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=600mA,BVcbo=160V,BVceo=140V,BVebo=6V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=250,Vce(sat)=0.25V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SMUN5211DW1T1G
SMUN5211DW1T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-363-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:35@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库...
PMBT4401,185
PMBT4401,185,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:20@0.1mA@1V|40@1mA@1V|80@10mA@1V|100@150mA@1V; 最大集电极发射极饱...
AT-32032-BLKG
AT-32032-BLKG,功率晶体管,品牌:Avago,封装:SOT-323-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:5.5 V; 最大DC直流集电极电流:0.04 A; 最小DC直流电流增益:70@5mA@2.7V; 最大集电极基极电压:11 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 最大...
2SA1242
2SA1242,晶体管,三极管,TO-251-3L封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=5000mA,BVcbo=35V,BVceo=20V,BVebo=8V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=320,Vce(sat)=1V,fr=170+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SD1801T-E
2SD1801T-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:TP-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:200@100mA@2V; 最大工作频率:150(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@50mA@1A V; 最大...
TIP35CG
TIP35CG,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-247-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:25 A; 最小DC直流电流增益:25@1.5A@4V|15@15A@4V; 最大工作频率:3(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1.8@1.5A...
MJB45H11G
MJB45H11G,功率晶体管,品牌:ON,封装:D2PAK-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:60@2A@1V|40@4A@1V; 最大工作频率:40(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.4A@8A ...