DRC5114E0L
DRC5114E0L,数字晶体管,品牌:Panasonic,封装:SMini3-F2-B-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:35@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface...
BD136-10
BD136-10,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-32-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:63@150mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@0.05A@0.5A V; 最...
BSV52,215
BSV52,215,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:25@1mA@1V|40@10mA@1V|25@50mA@1V; 最大工作频率:500(Typ) MHz; 最大集...
BD239B-S
BD239B-S,功率晶体管,品牌:Bourns,封装:TO-220-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:40@0.2A@4V|15@1A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:0.7@0.2A@1A V; 工作温度:-65 t...
BC817-25W,115
BC817-25W,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SC-70-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:160@100mA@1V|40@500mA@1V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱...
DTC143TKAT146
DTC143TKAT146,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存...
ULN2803ADWR
ULN2803ADWR,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOIC-18,参数:配置:Octal Common Emitter; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@250uA@100mA|1.3@350uA@200mA|1.6@5...
SBC808-25LT1G
SBC808-25LT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:25 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:160@100mA@1V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.7@50mA...
ZTX955STZ
ZTX955STZ,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:E-Line-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:140 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:100@10mA@5V|100@1A@5V|75@3A@5V; 最大工作频率:110(Typ) MHz; 最大集电...
BFR106,215
BFR106,215,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:15 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:25@50mA@9V; 最大工作频率:5000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:20 V; 工作温度:-...
KSB1151
KSB1151,晶体管,三极管,TO-126封装,参数为:Pcm=1250mW,Ic=5000mA,BVcbo=60V,BVceo=60V,BVebo=7V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.3V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2N5551G
2N5551G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:160 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:80@1mA@5V|80@10mA@5V|30@50mA@5V; 最大工作频率:300 MHz; 最大集电极发射极饱和电压:...
PMBT3904VS,115
PMBT3904VS,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-666-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:60@0.1mA@1V|80@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1V|30@100mA...
BUXD87T4
BUXD87T4,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:DPAK-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:450 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:12@40mA@5V; 最大工作频率:20(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0...
2SD669A
2SD669A,晶体管,三极管,TO-126封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=1500mA,BVcbo=180V,BVceo=160V,BVebo=5V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=320,Vce(sat)=1V,fr=140+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
EMA3T2R
EMA3T2R,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:EMT-5,参数:配置:Dual Common Emitter; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mo...
BSP60H6327XTSA1
BSP60H6327XTSA1,三极管,达林顿管,品牌:Infineon,封装:SOT-223-4,参数:配置:Single Dual Collector; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:45 V; 峰值DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:2000@500mA@10V; 最大集电极发射极饱和电压...
MJD112
MJD112,达林顿晶体管,由ON原厂生产,TO-251-3L封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=2000mA,BVcbo=100V,BVceo=100V,BVebo=5V,hfe(Min)=100012000,Vce(sat)=3V,fr=25MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FZTA14TA
FZTA14TA,三极管,达林顿管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:配置:Single Dual Collector; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:30 V; 峰值DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:10000@10mA@5V|20000@100mA@5V|5000@1A@...
NSBC114EDXV6T1G
NSBC114EDXV6T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-563-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:35@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. ...