2SD669A
2SD669A,晶体管,三极管,TO-92L封装,参数为:Pcm=750mW,Ic=1500mA,BVcbo=180V,BVceo=160V,BVebo=5V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=320,Vce(sat)=1V,fr=140+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MJB44H11G
MJB44H11G,功率晶体管,品牌:ON,封装:D2PAK-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:60@2A@1V|40@4A@1V; 最大工作频率:50(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.4A@8A ...
MUN5116T1G
MUN5116T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SC-70-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:160@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及...
BC847CT116
BC847CT116,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:SST-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:420@2mA@5V; 最大工作频率:200(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@0.5mA@10m...
DTC114WE
DTC114WE,NPN贴片数字晶体管,由ROHM原厂生产,SOT-523封装,参数为:Pd=150mW,Io=100mA,Vcc=50V,Gi=24,Vo(on)=0.3V,R1=10K+欧姆,R2=4.7K+欧姆,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TIP36AG
TIP36AG,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-247-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:25 A; 最小DC直流电流增益:25@1.5A@4V|15@15A@4V; 最大工作频率:3(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1.8@1.5A@...
BC80716E6327
BC80716E6327,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:100@100mA@1V|40@500mA@1V; 最大工作频率:200(Typ) MHz; 最大集电...
DTA114ESATP
DTA114ESATP,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:SPT-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 峰值DC直流集电极电流:50 mA; 最小DC直流电流增益:30@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
TD62084AFNG(O,N)
TD62084AFNG(O,N),三极管,达林顿管,品牌:Toshiba,封装:SSOP-18,参数:配置:Octal; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.6@350mA|1.3@20...
ZXTP5401ZTA
ZXTP5401ZTA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-89-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:150 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:50@1mA@5V|60@10mA@5V|50@50mA@5V; 最大工作频率:100(Typ) MHz;...
2DB1132Q-13
2DB1132Q-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-89-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:32 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:120@100mA@3V; 最大工作频率:190(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@50mA...
BFG403W,115
BFG403W,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:CMPAK-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:4.5 V; 最大DC直流集电极电流:0.003 A; 最小DC直流电流增益:50@3mA@2V; 最大工作频率:17000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:10 V; 工作温度:...
PBSS5250X,115
PBSS5250X,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-89-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:200@0.1A@2V|200@0.5A@2V|200@1A@2V|100@2A@2V; 最大工作频率:100(M...
PBSS4160U,115
PBSS4160U,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SC-70-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:250@1mA@5V|200@500mA@5V|100@1A@5V; 最大工作频率:220(Typ) MHz; 最大...
ULN2003AID
ULN2003AID,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOIC-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@100mA|1.3@200mA|1.6@350mA V; 安装方式:Surface Mount...
BC33716BU
BC33716BU,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.8 A; 最小DC直流电流增益:100@100mA@1V|60@300mA@1V; 最大工作频率:100(Typ) MHz; 最大集电极发射...
MMBT100
MMBT100,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:80@100uA@1V|100@10mA@1V|100@100mA@1V|100@150mA@5V; 最大工作...
CPH5905H-TL-E
CPH5905H-TL-E,NPN外延硅晶体管和N沟道硅结场效应晶体管,品牌:ON,封装:CPH-5,参数:分类:NPN Epitaxial Silicon Transistor and N-Channel Silicon Junction Field Effect Transistor; 引脚数目:5; 工作温度:-...
BFR505T,115
BFR505T,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SC-75-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:15 V; 最大DC直流集电极电流:0.018 A; 最小DC直流电流增益:60@5mA@6V; 最大工作频率:9000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:20 V; 工作温度:-6...
PHPT60406PYX
PHPT60406PYX,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-669-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:6 A; 最小DC直流电流增益:210@500mA@2V|190@1A@2V|110@3A@2V|50@6A@2V; 最大集电极发射极饱和电压:0...