MUN2134T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SC-59-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买...
MMSTA13T146,三极管,达林顿管,品牌:Rohm,封装:SMT-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:30 V; 峰值DC直流集电极电流:0.3 A; 最小DC直流电流增益:5000@10mA@5V|10000@100mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@100uA@1...
2SC5200N(S1,E,S),功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:TO-3P(N)-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:230 V; 最大DC直流集电极电流:15 A; 最小DC直流电流增益:160@1A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:3@0.8A@8A V; 最大集电极基极电压...
PDTC114EM,315,数字晶体管,品牌:NXP,封装:DFN-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:30@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时...
DZT751-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:70@50mA@2V|100@500mA@2V|80@1A@2V|40@2A@2V; 最大工作频率:145(Typ...
PMBT3946VPN,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-666-6,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:60@0.1mA@1V|80@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1V|30@...
RN4985FS(TPL3),数字晶体管,品牌:Toshiba,封装:fS-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:20 V; 峰值DC直流集电极电流:50 mA; 最小DC直流电流增益:120@1mA@5V; 工作温度:N/A to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount...
BC846SH6433XTMA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-363-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:65 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:250(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:...
2SC2668,晶体管,三极管,TO-92S封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=20mA,BVcbo=40V,BVceo=30V,BVebo=4V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=200,fr=550+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2DA1774QLP-7,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:DFN-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:120@1mA@6V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.2@5mA@50...
DMG504010R,功率晶体管,品牌:Panasonic,封装:SMini6-F3-B-6,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:210@2mA@10V; 最大工作频率:150(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱...
2N6338G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-204-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:25 A; 最小DC直流电流增益:50@0.5A@2V|30@10A@2V|12@25A@2V; 最大工作频率:40(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和...
BD243C,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:6 A; 最小DC直流电流增益:300@0.3mA@4V|15@3A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@1A@6A V;...
BC847BL3 E6327,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:TSLP-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:250(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@...
BD139,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-32-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:25@5mA@2V|25@500mA@2V|40@150mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:0....
PBSS4540X,135,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-89-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:300@0.5A@2V|300@1A@2V|250@2A@2V|100@5A@2V; 最大工作频率:70(Min)...
BCR166E6393,数字晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:70@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount...
CPH5901G-TL-E,NPN外延硅晶体管和N沟道硅结场效应晶体管,品牌:ON,封装:CPH-5,参数:分类:NPN Epitaxial Silicon Transistor and N-Channel Silicon Junction Field Effect Transistor; 引脚数目:5; 工作温度:-...
JANTX2N2907A,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-18-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:75@0.1mA@10V|100@1mA@10V|100@10mA@10V|100@150mA@10V|50@500...
2SD0602,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=500mA,BVcbo=30V,BVceo=25V,BVebo=5V,hfe(Min)=85,hfe(Max)=340,Vce(sat)=0.6V,fr=200+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
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