2SC2073
2SC2073,晶体管,三极管,TO-220-3L封装,参数为:Pcm=1500mW,Ic=1500mA,BVcbo=150V,BVceo=150V,BVebo=5V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=140,Vce(sat)=1.5V,fr=4+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BCR108SE6327
BCR108SE6327,数字晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-363-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:70@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount...
DDA143TU-7-F
DDA143TU-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-363-6,参数:配置:Dual; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount....
2SC1623
2SC1623,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=100mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=90,hfe(Max)=600,Vce(sat)=0.3V,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
EMG6T2R
EMG6T2R,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:EMT-5,参数:配置:Dual Common Emitter; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mo...
2SB649
2SB649,晶体管,三极管,TO-126C封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=1500mA,BVcbo=180V,BVceo=120V,BVebo=5V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=320,Vce(sat)=1V,fr=140+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DDTC114TE-7-F
DDTC114TE-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-523-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mou...
KSA992FATA
KSA992FATA,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:120 V; 最大DC直流集电极电流:0.05 A; 最小DC直流电流增益:300@1mA@6V; 最大工作频率:100(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@1...
BC847CT,115
BC847CT,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SC-75-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:420@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.2@0.5mA@10...
NSVMUN2212T1G
NSVMUN2212T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SC-59-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:60@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报...
2N3904-AP
2N3904-AP,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:60@0.1mA@1V|80@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1V|...
NE85639-T1-A
NE85639-T1-A,功率晶体管,品牌:NEC,封装:Mini-Mold-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:50@20mA@10V; 最大集电极基极电压:20 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 最大功率耗...
MJD45H11T4
MJD45H11T4,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:DPAK-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:60@2A@1V|40@4A@1V; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.4A@8A V; 最大...
DZT851-13
DZT851-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:6 A; 最小DC直流电流增益:100@10mA@1V|100@2A@1V|75@5A@1V|25@10A@1V; 最大工作频率:130(Typ)...
MUN2133T1G
MUN2133T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SC-59-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买...
BC817-16LT1G
BC817-16LT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:100@100mA@1V|40@500mA@1V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和...
CPH6021-TL-H
CPH6021-TL-H,功率晶体管,品牌:ON,封装:CPH-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:60@50mA@5V; 最大工作频率:10000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:20 V; 工作温度:-55 ...
KSA931
KSA931,晶体管,三极管,TO-92L封装,参数为:Pcm=750mW,Ic=700mA,BVcbo=80V,BVceo=60V,BVebo=8V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=320,Vce(sat)=1.2V,fr=100+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBTH10-4LT1G
MMBTH10-4LT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:25 V; 最小DC直流电流增益:120@4mA@10V; 最大工作频率:800(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@0.4mA@4mA V; 最大集电极基极电压:3...
BC847BLP4-7B
BC847BLP4-7B,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:DFN-H4-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@0....