BUJ302AD,118
BUJ302AD,118,功率晶体管,品牌:NXP,封装:DPAK-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:48@0.1A@5V|25@0.8A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@0.2A@1A|1.5@1A@3.5A...
KST55MTF
KST55MTF,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:50@10mA@1V|50@100mA@1V; 最大工作频率:50(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和...
KSC2073H2TU
KSC2073H2TU,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-220AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:150 V; 最大DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:60@500mA@10V; 最大工作频率:4(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1@...
BC638
BC638,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=830mW,Ic=1000mA,BVcbo=60V,BVceo=60V,BVebo=5V,hfe(Min)=63,hfe(Max)=250,Vce(sat)=0.5V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SC2383
2SC2383,贴片晶体管,三极管,SOT-89-3L封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=1000mA,BVcbo=160V,BVceo=160V,BVebo=6V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=320,Vce(sat)=1V,fr=20MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PBHV8540X,115
PBHV8540X,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-89-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:100@50mA@10V|80@100mA@10V|10@300mA@10V; 最大集电极发射极饱和电压:0...
BC857B E6327
BC857B E6327,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:220@2mA@5V; 最大工作频率:250(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0...
DTA123JSA
DTA123JSA,PNP数字晶体管,由ROHM原厂生产,TO-92S封装,参数为:Pd=300mW,Io=100mA,Vcc=50V,Gi=80,Vo(on)=0.3V,R1=2.2K+欧姆,R2=47K+欧姆,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DDA143TH-7
DDA143TH-7,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-563-6,参数:配置:Dual; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询...
NSVMMUN2217LT1G
NSVMMUN2217LT1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SC-23-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:35@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询...
2SA1576AT106R
2SA1576AT106R,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:UMT-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:180@1mA@6V; 最大工作频率:140(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@5mA@50...
FJAF4310YTU
FJAF4310YTU,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-3PF-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:140 V; 最大DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:90@3A@4V; 最大工作频率:30(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@0.5A...
HBDM60V600W-7
HBDM60V600W-7,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-363-6,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:65@NPN|60@PNP V; 最大DC直流集电极电流:0.5@NPN|0.6@PNP A; 最小DC直流电流增益:250@10mA@1V@NPN|100@100m...
SMUN5314DW1T1G
SMUN5314DW1T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-363-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Moun...
2SA1941-OQ
2SA1941-OQ,功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:TO-3PN-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:140 V; 最大DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:80@1A@5V; 最大工作频率:30(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:2@0.7A@7A V...
ULN2004AN
ULN2004AN,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:PDIP-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@100mA|1.3@200mA|1.6@350mA V; 安装方式:Through Hole. ...
PDTA113EE,115
PDTA113EE,115,数字晶体管,品牌:NXP,封装:SC-75-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:30@40mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询...
TPC6901(TE85L,F,M)
TPC6901(TE85L,F,M),功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:VS-6,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:1@NPN|0.7@PNP A; 最小DC直流电流增益:400@0.1A@2V|200@0.3A@2V@NPN|200@0.1A...
TTC5200(Q)
TTC5200(Q),功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:TO-3PL-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:230 V; 最大DC直流集电极电流:15 A; 最小DC直流电流增益:80@1A@5V|35@7A@5V; 最大工作频率:30(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:3@...
MSB92T1G
MSB92T1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SC-59-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:25@1mA@10V|40@10mA@10V|25@30mA@10V; 最大工作频率:50(Min) MHz; 最大集电...