2SB649A
2SB649A,晶体管,三极管,TO-126C封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=1500mA,BVcbo=180V,BVceo=160V,BVebo=5V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=200,Vce(sat)=1V,fr=140+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TIP137-S
TIP137-S,三极管,达林顿管,品牌:Bourns,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:500@1A@4V|1000@4A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2@16mA@4A|3@30mA@...
DTB113EKT146
DTB113EKT146,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 峰值DC直流集电极电流:500 mA; 最小DC直流电流增益:33@50mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897...
DTA115TM
DTA115TM,PNP贴片数字晶体管,由ROHM原厂生产,SOT-723封装,参数为:Pd=100mW,Io=100mA,Vcc=50V,Gi=100,Vo(on)=0.3V,R1=100K+欧姆,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BF824,235
BF824,235,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:0.025 A; 最小DC直流电流增益:25@1mA@10V|25@4mA@10V; 最大工作频率:450(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:3...
ECH8102-TL-H
ECH8102-TL-H,功率晶体管,品牌:ON,封装:ECH-8,参数:类型:PNP; 引脚数量:8; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:12 A; 最小DC直流电流增益:200@500mA@2V|150@4A@2V|100@10A@2V; 最大工作频率:140(Typ) MHz; 最大集电极...
SS9012GBU
SS9012GBU,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:112@50mA@1V; 最大集电极发射极饱和电压:0.6@50mA@500mA V; 最大集电极基极电压:...
ZTX605STZ
ZTX605STZ,三极管,达林顿管,品牌:Diodes,封装:E-Line-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:120 V; 峰值DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:2000@50mA@5V|5000@500mA@5V|2000@1A@5V|500@2A@5V; 最大...
BUL1203E
BUL1203E,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:550 V; 最大DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:10@1mA@5V|10@10mA@5V|14@0.8A@3V|9@2A@5V; 最大集电极...
BCV27,215
BCV27,215,三极管,达林顿管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:30 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:4000@1mA@5V|10000@10mA@5V|20000@100mA@5V; 最大集电极发射极饱...
MPSH10/11
MPSH10/11,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=350mW,Ic=40mA,BVcbo=30V,BVceo=25V,BVebo=3V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=-,Vce(sat)=0.5V,fr=650MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ZXTP4003ZTA
ZXTP4003ZTA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-89-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:60@85mA@0.15V|100@150mA@0.2V; 最大集电极基极电压:100 V; 工作温度:-55...
DDTA114ECAQ-13-F
DDTA114ECAQ-13-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:30@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mo...
ULQ2802A
ULQ2802A,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:PDIP-18,参数:配置:Octal Common Emitter; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电...
BCP54TA
BCP54TA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:25@5mA@2V|40@150mA@2V|25@500mA@2V; 最大工作频率:150(Min) MHz; 最大集...
2DA1774QLP-7B
2DA1774QLP-7B,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:DFN-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:120@1mA@6V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.2@5mA@5...
2SB624
2SB624,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=700mA,BVcbo=30V,BVceo=25V,BVebo=5V,hfe(Min)=110,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.6V,fr=160+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PH2369
PH2369,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=200mA,BVcbo=40V,BVceo=15V,BVebo=4.5V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=120,Vce(sat)=0.25V,fr=500MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DDTA115TCA-7-F
DDTA115TCA-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mou...
MJE3055TG
MJE3055TG,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-220AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:20@4A@4V|5@10A@4V; 最大工作频率:2(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@0.4A...