MMBTH10-4LT1G
MMBTH10-4LT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:25 V; 最小DC直流电流增益:120@4mA@10V; 最大工作频率:800(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@0.4mA@4mA V; 最大集电极基极电压:3...
BFG424F,115
BFG424F,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:DFP-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:4.5 V; 最大DC直流集电极电流:0.03 A; 最小DC直流电流增益:50@25mA@2V; 最大工作频率:25000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:10 V; 工作温度:-6...
STN93003
STN93003,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:10@10mA@5V|16@0.35A@5V|4@1A@5V; 最大集电极发射极饱和电...
BF722,115
BF722,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:250 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:50@25mA@20V; 最大工作频率:60(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.6@5mA@30m...
TIP147TU
TIP147TU,三极管,达林顿管,品牌:Fairchild,封装:TO-3P(N)-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:1000@5A@4V|500@10A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2@10mA@5A|...
2SD879
2SD879,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=750mW,Ic=3000mA,BVcbo=30V,BVceo=10V,BVebo=6V,hfe(Min)=140,hfe(Max)=-,Vce(sat)=0.4V,fr=200+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
JANTXV2N2222AUB
JANTXV2N2222AUB,功率晶体管,品牌:Microsemi,封装:UB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.8 A; 最小DC直流电流增益:50@0.1mA@10V|75@1mA@10V|100@10mA@10V|100@150mA@10V|...
ESM6045DV
ESM6045DV,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:ISOTOP-4,参数:配置:Single Dual Emitter; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:450 V; 峰值DC直流集电极电流:84 A; 最小DC直流电流增益:120(Typ)@70A@5V; 最大集电极发射极...
ZX5T949GTA
ZX5T949GTA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:5.5 A; 最小DC直流电流增益:100@10mA@1V|100@1A@1V|70@5A@1V|10@20A@1V; 最大工作频率:110(T...
NSVBC858CLT1G
NSVBC858CLT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:420@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.5mA@...
BCX5316-13R
BCX5316-13R,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-89-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:25@5mA@2V|40@150mA@2V|25@500mA@2V|100@150mA@2V; 最大集电极发射极...
2N5686G
2N5686G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-204-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:50 A; 最小DC直流电流增益:15@25A@2V|5@50A@5V; 最大工作频率:2(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1@2.5A@25A|...
BC858B E6327
BC858B E6327,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:220@2mA@5V; 最大工作频率:250(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0...
SMBTA06 E6327
SMBTA06 E6327,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:100@10mA@1V|100@100mA@1V; 最大工作频率:100(Typ) MHz; 最大集...
ST901T
ST901T,三极管,达林顿管,品牌:ST Micro,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:350 V; 峰值DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:500@4A@2V|1800@2A@2V; 最大集电极发射极饱和电压:2@20mA@2A V; 安装方式...
2SB764
2SB764,晶体管,三极管,TO-92L封装,参数为:Pcm=750mW,Ic=1000mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=320,Vce(sat)=0.7V,fr=150+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BFU520XRVL
BFU520XRVL,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-143R-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:0.03 A; 最小DC直流电流增益:60@5mA@8V; 工作温度:-40 to 150 ℃; 最大功率耗散:450 mW; 安装方式:Surfa...
2SB1205S-TL-E
2SB1205S-TL-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:TP-FA-3,参数:询报价及购买请致电:0755-83897562
MUN5313DW1T1G
MUN5313DW1T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-363-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount...
2SC3437
2SC3437,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=150mW,Ic=200mA,BVcbo=40V,BVceo=15V,BVebo=5V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=240,Vce(sat)=0.3V,fr=200MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562