DTC144ESATP
DTC144ESATP,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:SPT-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:68@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562...
BUV21G
BUV21G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-204-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:200 V; 最大DC直流集电极电流:40 A; 最小DC直流电流增益:20@12A@2V|10@5A@4V; 最大工作频率:8(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.6@1.2A@12...
SSTA06T116
SSTA06T116,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:SST-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:100@10mA@1V|100@100mA@1V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:...
DTA123EM3T5G
DTA123EM3T5G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-723-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:8@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存...
FMMT4124
FMMT4124,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=330mW,Ic=200mA,BVcbo=30V,BVceo=25V,BVebo=5V,hfe(Min)=120,hfe(Max)=360,Vce(sat)=0.3V,fr=300MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SD789
2SD789,晶体管,三极管,TO-92L封装,参数为:Pcm=750mW,Ic=1000mA,BVcbo=100V,BVceo=50V,BVebo=6V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=800,Vce(sat)=0.3V,fr=100+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ULN2003AD
ULN2003AD,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOIC-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@100mA|1.3@200mA|1.6@350mA V; 安装方式:Surface Mount....
2SC3789E
2SC3789E,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-126ML-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最大工作频率:70(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.6@2mA@20mA V; 最大集电极基极电压:300 V; 工作温...
2SC3646S-TD-E
2SC3646S-TD-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:PCP-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:140@100mA@5V; 最大工作频率:120(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@40mA@400...
MPSW42RLRAG
MPSW42RLRAG,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:25@1mA@10V|40@10mA@10V|40@30mA@10V; 最大工作频率:50(Min) MHz; 最大...
PMST5551,115
PMST5551,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SC-70-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:160 V; 最大DC直流集电极电流:0.3 A; 最小DC直流电流增益:80@1mA@5V|80@10mA@5V|30@50mA@5V; 最大工作频率:300 MHz; 最大集电极发射...
ZTX1048A
ZTX1048A,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:E-Line-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:17.5 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:280@10mA@2V|300@500mA@2V|300@1A@2V|220@4A@2V|50@20A@2V; 最...
RN2410(T5L,F,T)
RN2410(T5L,F,T),数字晶体管,品牌:Toshiba,封装:S-Mini-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:120@1mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface M...
BCX5616E6327
BCX5616E6327,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-89-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:25@5mA@2V|100@150mA@2V|25@500mA@2V; 最大工作频率:100(Typ) M...
2SC2881
2SC2881,贴片晶体管,三极管,SOT-89-3L封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=800mA,BVcbo=120V,BVceo=120V,BVebo=5V,hfe(Min)=80,hfe(Max)=240,Vce(sat)=1V,fr=120+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ULQ2003ATDRG4Q1
ULQ2003ATDRG4Q1,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOIC-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.2@100mA|1.4@200mA|1.7@350mA V; 安装方式:Surface ...
TIP120
TIP120,达林顿晶体管,由ST原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pcm=2000mW,Ic=5000mA,BVcbo=60V,BVceo=60V,BVebo=5V,hfe(Min)=1000,Vce(sat)=4V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PDTC114EM,315
PDTC114EM,315,数字晶体管,品牌:NXP,封装:DFN-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:30@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时...
NSS1C200MZ4T3G
NSS1C200MZ4T3G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:150@10mA@2V|120@500mA@2V|80@1A@2V|50@2A@2V; 最大工作频率:120(...
FJA4213RTU
FJA4213RTU,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-3P(N)-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:250 V; 最大DC直流集电极电流:17 A; 最小DC直流电流增益:55@1A@5V; 最大工作频率:30(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:3@0.8A@...