MMSTA13T146
MMSTA13T146,三极管,达林顿管,品牌:Rohm,封装:SMT-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:30 V; 峰值DC直流集电极电流:0.3 A; 最小DC直流电流增益:5000@10mA@5V|10000@100mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@100uA@1...
PBSS5160QAZ
PBSS5160QAZ,功率晶体管,品牌:NXP,封装:DFN-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:160@100mA@2V|120@500mA@2V|85@1A@2V; 最大集电极发射极饱和电压:0.19@50mA@500...
M8050
M8050,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=800mA,BVcbo=40V,BVceo=25V,BVebo=6V,hfe(Min)=80,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.5V,fr=150MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BFQ19SH6327XTSA1
BFQ19SH6327XTSA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-89-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:15 V; 最大DC直流集电极电流:0.12 A; 最小DC直流电流增益:70@70mA@8V; 最大集电极基极电压:20 V; 工作温度:-65 to 150 ℃;...
DDTA123JUA-7-F
DDTA123JUA-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-323-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:07...
PUMZ2,125
PUMZ2,125,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TSSOP-6,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:120@1mA@6V; 最大工作频率:100(Min)@NPN|190(Typ)@PNP MHz; 最大集电极...
DDA142JH-7
DDA142JH-7,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-563-6,参数:配置:Dual; 类型:PNP; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:56@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-838...
BCW70,235
BCW70,235,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:215@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.5mA@1...
JAN2N2222A
JAN2N2222A,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-18-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.8 A; 最小DC直流电流增益:50@0.1mA@10V|75@1mA@10V|100@10mA@10V|100@150mA@10V|30@500mA@...
ULN2002D1013TR
ULN2002D1013TR,三极管,达林顿管,品牌:ST Micro,封装:SO-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@250uA@100mA|1...
KSA928AOTA
KSA928AOTA,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92L-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:100@500mA@2V; 最大工作频率:120(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:2@30mA...
BCP55
BCP55,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:25@5mA@2V|40@150mA@2V|25@500mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@50mA...
MJL21193G
MJL21193G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-264-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:250 V; 最大DC直流集电极电流:16 A; 最小DC直流电流增益:25@8A@5V; 最大工作频率:4(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1.4@0.8A@8A|4@3.2A...
FZT968TA
FZT968TA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:6 A; 最小DC直流电流增益:300@10mA@1V|300@500mA@1V|200@5A@1V|150@10A@1V; 最大工作频率:80(T...
TIP47
TIP47,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-220AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:250 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:30@300mA@10V|10@1A@10V; 最大工作频率:10(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压...
2N3019
2N3019,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-39-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:50@0.1mA@10V|90@10mA@10V|100@150mA@10V|50@500mA@10...
BF370
BF370,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=100mA,BVcbo=40V,BVceo=15V,BVebo=4.5V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=200,Vce(sat)=0.2V,fr=500MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TIP147FTU
TIP147FTU,三极管,达林顿管,品牌:Fairchild,封装:TO-3PF-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:500@10A@4V|1000@5A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2@10mA@5A|3...
NSV1C200LT1G
NSV1C200LT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:150@10mA@2V|120@500mA@2V|80@1A@2V|50@2A@2V; 最大集电极发射极饱和电压:0...
LMN200B02-7
LMN200B02-7,PNP晶体管和N-MOSFET，带有栅极与下拉电阻,品牌:Diodes,封装:SOT-363-6,参数:分类:PNP Transistor and N-MOSFET with Gate Pull Down Resistor; 引脚数目:6; 工作温度:-55 to 150 ℃; 所属系列:LMN...